[发明专利]一种用于智能功率模块的封装基板及其制备方法

说明书

本发明涉及一种用于智能功率模块的封装基板的制备方法，该方法包括以下步骤：在承载基板上形成第一重新布线层，在所述第一重新布线层上形成交替堆叠设置的有机介电层和无机介电层，接着形成第一开孔和第二开孔，接着在所述第一开孔中形成电容下电极层、电容介质层、第一金属导电薄膜以及第一金属凸块，在所述第二开孔中形成第二金属凸块，接着在所述第一开孔中形成第一有机导电体并在所述第二开孔中形成第二有机导电体，其中，所述第一金属导电薄膜、第一金属凸块以及第一有机导电体组成电容上电极层，所述第二金属凸块和所述第二有机导电体组成导电通孔；接着形成第二重新布线层。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种用于智能功率模块的封装基板及其制备方法。

背景技术

随着半导体制造的不断发展，随着半导体芯片的功能不断复杂化，使得半导体元件的集成度越来越高，而随着半导体元件的高集成化，相应的半导体封装的引脚的数量也相应的增加，而由于引脚的数量和电路布线的密集化，容易导致半导体封装的功能受到影响。因此，一般为了消除引脚的数量和电路布线的密集化对封装结构的功能受到影响，需要在半导体封装结构中设置被动元件，如电阻器件、电容器件和/或电感器件，以稳定电路，以使得所述半导体封装结构稳定工作。在现有的封装工艺中，一方面通过将电容元件利用表面贴装技术而贴装在封装基板上；另一方面则是通过将电容元件置于封装基板内部，进而实现半导体封装的小型化。如何进一步改进半导体封装的制备方法，以使得电容元件和封装基板在同一制程中完成制造，进而将其应用于智能功率模块，进而提高智能功率模块的稳定性，这引起了人们的热切关注。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种用于智能功率模块的封装基板及其制备方法。

为实现上述目的，本发明提出的一种用于智能功率模块的封装基板的制备方法，包括以下步骤：

(1)提供一承载基板，接着在所述承载基板上形成第一重新布线层。

(2)接着在所述第一重新布线层上形成第一有机介电层，接着在所述第一有机介电层上形成第一无机介电层，接着在所述第一无机介电层上形成第二有机介电层，接着在所述第二有机介电层上形成第二无机介电层，接着在所述第二无机介电层上形成第三有机介电层，接着在所述第三有机介电层上形成第三无机介电层，接着在所述第三无机介电层上形成第四有机介电层，其中第一有机介电层的厚度大于所述第二有机介电层的厚度，第二有机介电层的厚度大于所述第三有机介电层的厚度，所述第四有机介电层的厚度大于所述第三有机介电层的厚度，所述第一无机介电层的厚度小于所述第二无机介电层的厚度，所述第二无机介电层的厚度大于所述第三无机介电层的厚度。

(3)接着在层叠的有机介电层和无机介电层中形成第一开孔和第二开孔，所述第一开孔和所述第二开孔均暴露所述第一重新布线层，接着在所述第一开孔中形成电容下电极层，所述电容下电极层与所述第一重新布线层电连接。

(4)接着在所述电容下电极层上形成电容介质层，接着在所述电容介质层上形成第一金属导电薄膜。

(5)接着在所述第一开孔中的所述第一金属导电薄膜上形成第一金属凸块，所述第一金属凸块的高度小于所述第一开孔的高度，所述第一金属导电薄膜与所述第一金属凸块之间存在间隙，在形成第一金属凸块的同时在所述第二开孔中形成第二金属凸块，所述第二开孔的侧壁与所述第二金属凸块之间存在间隙。

(6)接着沉积有机导电材料以填满所述第一开孔和所述第二开孔，以在所述第一开孔中形成第一有机导电体并在所述第二开孔中形成第二有机导电体，其中，所述第一金属导电薄膜、第一金属凸块以及第一有机导电体组成电容上电极层，所述第二金属凸块和所述第二有机导电体组成导电通孔。

(7)接着在所述第四有机介电层上形成第二重新布线层，所述第二重新布线层与所述电容上电极层和所述导电通孔分别电连接，且所述第一金属凸块和所述第二金属凸块均不直接接触所述第二重新布线层。