[发明专利]一种用于智能功率模块的封装基板及其制备方法

权利要求书

1.一种用于智能功率模块的封装基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一承载基板，接着在所述承载基板上形成第一重新布线层；

(2)接着在所述第一重新布线层上形成第一有机介电层，接着在所述第一有机介电层上形成第一无机介电层，接着在所述第一无机介电层上形成第二有机介电层，接着在所述第二有机介电层上形成第二无机介电层，接着在所述第二无机介电层上形成第三有机介电层，接着在所述第三有机介电层上形成第三无机介电层，接着在所述第三无机介电层上形成第四有机介电层，其中第一有机介电层的厚度大于所述第二有机介电层的厚度，第二有机介电层的厚度大于所述第三有机介电层的厚度，所述第四有机介电层的厚度大于所述第三有机介电层的厚度，所述第一无机介电层的厚度小于所述第二无机介电层的厚度，所述第二无机介电层的厚度大于所述第三无机介电层的厚度；

(3)接着在层叠的有机介电层和无机介电层中形成第一开孔和第二开孔，所述第一开孔和所述第二开孔均暴露所述第一重新布线层，接着在所述第一开孔中形成电容下电极层，所述电容下电极层与所述第一重新布线层电连接；

(4)接着在所述电容下电极层上形成电容介质层，接着在所述电容介质层上形成第一金属导电薄膜；

(5)接着在所述第一开孔中的所述第一金属导电薄膜上形成第一金属凸块，所述第一金属凸块的高度小于所述第一开孔的高度，所述第一金属导电薄膜与所述第一金属凸块之间存在间隙，在形成第一金属凸块的同时在所述第二开孔中形成第二金属凸块，所述第二开孔的侧壁与所述第二金属凸块之间存在间隙；

(6)接着沉积有机导电材料以填满所述第一开孔和所述第二开孔，以在所述第一开孔中形成第一有机导电体并在所述第二开孔中形成第二有机导电体，其中，所述第一金属导电薄膜、第一金属凸块以及第一有机导电体组成电容上电极层，所述第二金属凸块和所述第二有机导电体组成导电通孔；

(7)接着在所述第四有机介电层上形成第二重新布线层，所述第二重新布线层与所述电容上电极层和所述导电通孔分别电连接，且所述第一金属凸块和所述第二金属凸块均不直接接触所述第二重新布线层。

2.根据权利要求1所述的用于智能功率模块的封装基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述承载基板为半导体基板、玻璃基板、陶瓷基板或塑料基板，在所述承载基板上沉积一感光性粘结层，接着在所述感光性粘结层上形成所述第一重新布线层，所述第一重新布线层包括多层图形化的介电层和多层图形化的金属线路层。

3.根据权利要求1所述的用于智能功率模块的封装基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，所述第一、第二、第三、第四有机介电层包括环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、PET、PBO、硅树脂中的一种或多种，所述所述第一、第二、第三、第四有机介电层通过印刷、旋涂、滴涂、喷涂、压缩模塑、转移模塑或真空层压的工艺形成，所述第一、第二、第三无机介电层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种或多种，所述第一、第二、第三无机介电层通过化学气相沉积或原子层沉积形成。

4.根据权利要求3所述的用于智能功率模块的封装基板的制备方法，其特征在于：进一步的，所述第一有机介电层的厚度为10-50微米，所述第二有机介电层的厚度为5-20微米，所述第三有机介电层的厚度为1-10微米，所述第四有机介电层的厚度为10-30微米，所述第一无机介电层的厚度为1-8微米，所述第二无机介电层的厚度为5-15微米，所述第三无机介电层的厚度为500纳米-5微米。

5.根据权利要求1所述的用于智能功率模块的封装基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，通过激光开孔工艺或机械切割工艺以形成所述第一、第二开孔，所述第一开孔的孔径大于所述第二开孔的孔径，所述电容下电极层包括钛、氮化钛、钨、硅化钛、硅化镍、硅氮化钛中的一种或多种，所述电容下电极层通过物理气相沉积或化学气相沉积形成。

6.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述电容介质层包括氧化铝、氮化硅、氧化锆、氧化铪、氧化钌、氧化锑中的一种或多种，所述电容介质层通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成，所述第一金属导电薄膜包括钨、钛、镍、铂中的一种或多种。