[发明专利]物理不可克隆函数生成器及其电路和方法

权利要求书

1.一种物理不可克隆函数生成器，包括：

差值生成器电路，包括具有第一预定阈值电压的第一晶体管和第二晶体管，所述差值生成器电路被配置为提供第一输出信号，以基于所述第一晶体管和所述第二晶体管的相应导通时间来生成物理不可克隆函数签名；以及

放大器，包括具有第二预定阈值电压的多个晶体管，所述放大器被配置为接收所述第一输出信号并输出所述物理不可克隆函数签名。

2.根据权利要求1所述的物理不可克隆函数生成器，其中，所述第一预定阈值电压高于所述第二预定阈值电压。

3.根据权利要求1所述的物理不可克隆函数生成器，其中，所述第一预定阈值电压是高阈值电压。

4.根据权利要求1所述的物理不可克隆函数生成器，其中，所述第二预定阈值电压是低阈值电压。

5.根据权利要求1所述的物理不可克隆函数生成器，进一步包括多个所述差值生成器电路，其中，所述放大器被配置为接收所述多个差值生成器电路中的每个的所述第一输出信号。

6.根据权利要求5所述的物理不可克隆函数生成器，进一步包括多个所述放大器，其中，所述放大器中的每个被配置为输出所述物理不可克隆函数签名的相应位。

7.根据权利要求1所述的物理不可克隆函数生成器，进一步包括多个所述差值生成器电路和多个所述放大器，其中，所述差值生成器电路中的每个被耦合到所述放大器中的一个相应放大器，并且其中，所述放大器中的每个被配置为输出所述物理不可克隆函数签名的相应位。

8.根据权利要求1所述的物理不可克隆函数生成器，进一步包括预放电电路，所述预放电电路被耦合至所述差值生成器电路并且被配置为将所述第一输出信号设置为预定值。

9.一种物理不可克隆函数生成器的电路，包括：

第一和第二PMOS晶体管，具有连接在电源端与相应的第一输出端和第二输出端之间的第一预定电压阈值；

第一和第二NMOS晶体管，具有分别连接在所述第一输出端和所述第二输出端与接地端之间的第二预定阈值电压；并且其中，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管以及所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管被配置为基于所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管和/或所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的导通时间在相应的所述第一输出端和所述第二输出端处生成互补的物理不可克隆函数位。

10.一种生成物理不可克隆函数签名的方法，包括：

确定具有第一预定电压阈值的第一晶体管与第二晶体管之间在导通时间上的差值；

基于所确定的所述差值输出用于生成物理不可克隆函数签名的第一信号；

通过包括具有第二预定阈值电压的晶体管的放大器放大所述第一信号；以及

基于放大的所述第一信号输出所述物理不可克隆函数签名。