[发明专利]叠层电池内联结构及制备方法在审
| 申请号: | 202110206890.1 | 申请日: | 2021-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN113066884A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
| 发明(设计)人: | 陈国栋;陈云国 | 申请(专利权)人: | 西安埃德迈光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 刘云艳 |
| 地址: | 710100 陕西省西安市长安区国家民用航天产业基地*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电池 内联 结构 制备 方法 | ||
1.一种叠层电池内联结构,其特征在于:包括至少1个电池单元,所述电池单元由2个子电池组成,所有子电池共用衬底材料,所述子电池包括由下至上依次排列的底电池背电极、底电池吸收转化层、底电池前电极、中间过渡功能层、上电池背电极、上电池吸收转化层和上电池前电极;电池单元中的第一子电池的底电池前电极的端部设置第一子电池底电池正极焊接区;第二子电池的底电池前电极的尾部设置第二子电池底电池正极焊接区;第一子电池的底电池背电极的尾部设置第一子电池底电池负极焊接区,第二子电池的底电池背电极的端部设置第二子电池底电池负极焊接区;第一子电池的上电池背电极的端部设置第一子电池上电池正极焊接区,第二子电池的上电池背电极的尾部设置第二子电池上电池正极焊接区;第一子电池上电池前电极的尾部设置第一子电池上电池负极焊接区,第二子电池上电池前电极的端部设置第二子电池上电池负极焊接区;中间位置的同一电池单元中的第一子电池底电池负极焊接区和第二子电池底电池正极焊接区、第一子电池上电池负极焊接区和第二子电池上电池正极焊接区通过焊带连接;中间位置的电池单元中的第一子电池底电池正极焊接区和相邻上一个电池单元中的第二子电池底电池负极焊接区、中间位置的电池单元中的第一子电池上电池正极焊接区和相邻上一个电池单元中的第二子电池上电池负极焊接区通过焊带连接;在所述叠层电池内联结构的端部电池单元上设置底电池正极输出极和上电池正极输出极;在所述叠层电池内联结构的尾部电池单元上设置底电池负极输出极和上电池负极输出极。
2.根据权利要求1所述的叠层电池内联结构,其特征在于:所述叠层电池内联结构的四周的衬底材料上部设置绝缘区。
3.根据权利要求1所述的叠层电池内联结构,其特征在于:子电池与子电池之间设置有刻划沟道或分隔沟道。
4.根据权利要求1所述的叠层电池内联结构,其特征在于:所述衬底材料、底电池背电极、底电池吸收转化层和底电池前电极构成第一层电池;中间过渡功能层、上电池背电极、上电池吸收转化层和上电池前电极构成第二层电池;在所述第二层电池上还设置有第三层电池,所述第三层电池结构与第二层电池结构相同;连接过程中,中间位置的同一电池单元中的第一层电池中的第一子电池底电池负极焊接区和第二子电池底电池正极焊接区通过焊带连接、同一电池单元中的第二层电池中的第一子电池上电池负极焊接区和第二层电池中的第二子电池上电池正极焊接区通过焊带连接;中间位置的电池单元中的第一层电池中的第一子电池底电池正极焊接区和相邻上一个电池单元中的第一层电池中的第二子电池底电池负极焊接区通过焊带连接;电池单元中的第二层电池中的第一子电池上电池正极焊接区和相邻上一个电池单元中的第二层电池中的第二子电池上电池负极焊接区通过焊带连接;同一电池单元中的第三层电池中的第一子电池上电池负极焊接区和第三层电池中的第二子电池上电池正极焊接区通过焊带连接;在所述叠层电池内联结构的端部电池单元上设置1个底电池正极输出极和2个上电池正极输出极;在所述叠层电池内联结构的尾部电池单元上设置1个底电池负极输出极和2个上电池负极输出极。
5.根据权利要求4所述的叠层电池内联结构,其特征在于:电池单元中各层电池形成独立的载流子输出。
6.根据权利要求4所述的叠层电池内联结构,其特征在于:子电池与子电池之间的连接、电池单元与电池单元之间的连接为镀膜连接。
7.根据权利要求1所述的叠层电池内联结构,其特征在于:子电池中的各层电池形成并联结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安埃德迈光电科技有限公司,未经西安埃德迈光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110206890.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





