[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202110198482.6 | 申请日: | 2021-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN113380831A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
| 发明(设计)人: | 孙世完;高武恂;白敬铉;成硕济;李在贤;李廷洙;李知嬗;赵允钟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/33;H01L27/02;H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
显示装置包括:基板;设置在基板上的第一半导体层;设置在第一半导体层上的第一绝缘层;设置在第一绝缘层上的扫描线;在扫描线上的第二绝缘层;在第二绝缘层上的反向扫描线;设置在反向扫描线上的第三绝缘层;设置在第三绝缘层上的第二半导体层;设置在第二半导体层上的第四绝缘层;设置在第四绝缘层上并与扫描线重叠的初始化电压线;包括设置在第一半导体层中的沟道并通过扫描线接收栅信号的第一晶体管;以及包括设置在第二半导体层中的沟道并通过反向扫描线接收栅信号的第二晶体管。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0022891号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及显示装置,并且特别地,涉及发光二极管显示装置。
背景技术
显示装置(比如发光二极管显示装置)可包括其中可布置显示图像的像素的显示面板。每个像素可包括发光二极管以及晶体管和电容器,使得发光二极管可在预定时机发射具有预定亮度的光。可将信号和/或电压施加或传输到像素的信号线可设置在显示面板上。
图像清晰度和鲜明度可与显示装置的分辨率有关。显示装置的分辨率越高,图像可显示得越清晰和越鲜明。为了增加分辨率,通常可能需要在有限的区内布置更多的像素,结果,需要可增加像素和信号线的集成度而不限制其他特性的设计。
应理解,该背景技术部分,部分旨在为理解该技术提供有用的背景。然而,该背景技术部分还可包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的想法、构思或认识。
发明内容
实施方式提供了可防止图像质量劣化同时增加分辨率的显示装置。
实施方式提供了显示装置,该显示装置可包括:基板;设置在基板上的第一半导体层;设置在第一半导体层上的第一绝缘层;设置在第一绝缘层上的扫描线;设置在扫描线上的第二绝缘层;设置在第二绝缘层上的反向扫描线;设置在反向扫描线上的第三绝缘层;设置在第三绝缘层上的第二半导体层;设置在第二半导体层上的第四绝缘层;设置在第四绝缘层上并与扫描线重叠的初始化电压线;包括设置在第一半导体层中的沟道的第一晶体管,该第一晶体管通过扫描线接收栅信号;以及包括设置在第二半导体层中的沟道的第二晶体管,该第二晶体管通过反向扫描线接收栅信号。
初始化电压线可在平行于扫描线的第一方向上延伸。
显示装置可进一步包括在与第一方向相交的第二方向上延伸的数据线以及电连接到初始化电压线并平行于数据线延伸的屏蔽电极。
屏蔽电极可与第二晶体管的栅电极重叠。
显示装置可进一步包括设置在初始化电压线上的第五绝缘层,
数据线和屏蔽电极可设置在第五绝缘层上,并且屏蔽电极可通过第五绝缘层的开口电连接到初始化电压线。
显示装置可进一步包括包含设置在第一半导体层中的沟道的第三晶体管以及电连接第三晶体管的栅电极和第二晶体管的漏电极并且设置在第五绝缘层上的第一连接构件。
第一连接构件可不与反向扫描线重叠。
显示装置可进一步包括包含设置在第一半导体层中的沟道的第四晶体管以及电连接第四晶体管的漏电极和初始化电压线的第二连接构件。屏蔽电极可从第二连接构件延伸。
显示装置可进一步包括设置在第四绝缘层上的初始化控制线以及包括设置在第二半导体层中的沟道的第五晶体管,第五晶体管通过初始化控制线接收栅信号。屏蔽电极可横跨初始化控制线延伸。
第二晶体管可包括设置在第二绝缘层和第三绝缘层之间的下栅电极以及设置在第四绝缘层和第五绝缘层之间的上栅电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





