[发明专利]面向集成电路互连电容提取的多介质格林函数预刻画方法

说明书

本申请提出一种面向集成电路互连电容提取的多介质格林函数预刻画方法。该方法包括：根据给定的集成电路互连工艺信息，利用立方体转移区域格林函数表的几何对称性，对若干种含多介质层的转移立方体进行压缩形式的预刻画，获得压缩的预刻画数据；其中，预刻画数据包括：含两层介质层转移区域的转移概率分布GFT、以及相应权值分布数据WVT；基于压缩的预刻画数据对多层介质互连结构进行随机行走电容参数提取。本申请利用立方体转移区域格林函数表的几何对称性，将原有的转移区域预刻画数据GFT和WVT的存储量进行压缩，并直接使用压缩后的GFT和WVT进行正常随机行走电容提取，节省了程序运行时内存开销。

技术领域

本申请涉及VLSI(Very Large Scale Integrated circuits,超大规模集成电路)物理设计与验证领域，尤其涉及一种面向集成电路互连电容提取的多介质格林函数预刻画方法。

背景技术

集成电路的设计流程中首先要提出功能描述，然后经过逻辑设计、版图设计得到描述半导体工艺尺寸、结构的版图。这时需要进行“版图验证”，即通过计算机软件模拟等来验证上述设计是否能达到当初设定的要求。如果满足要求，就可进行下一步的生产制造等；否则要返回逻辑设计等进行必要的修正。重复这个迭代过程，直到版图验证表明设计确实能够满足要求为止。在版图验证中，一个重要的环节称为“互连寄生参数提取”。

随着集成电路制造技术的发展，电路规模不断增大、特征尺寸不断缩小，当今很多芯片已含有几千万乃至上亿个器件。不过，集成电路中互连线的寄生效应造成互连线对电路延时的影响已超过了器件对延时的影响。这就需要对互连线的电容、电阻等参数进行准确的提取计算，这样才能进行保证电路模拟与验证的正确有效性。随着实际应用中对计算精度的要求越来越高，互连线之间的电容参数提取需要使用三维提取方法，即三维场求解器来进行精确求解。此类场求解器的计算往往是耗时的，对其算法的优化与加速研究意义很大。然而，相关技术中的预刻画方法通常会带来过于庞大的存储开销。

发明内容

本申请的目的旨在至少在一定程度上解决上述的技术问题之一。

为此，本申请的一个目的在于提出一种面向集成电路互连电容提取的多介质格林函数预刻画方法。该方法利用立方体转移区域格林函数表的几何对称性，将原有的转移区域预刻画数据GFT和WVT的存储量进行压缩，并直接使用压缩后的GFT和WVT进行正常随机行走电容提取，节省了程序运行时内存开销。

为达上述目的，本申请第一方面实施例提出了一种面向集成电路互连电容提取的多介质格林函数预刻画方法，包括：

根据给定的集成电路互连工艺信息，利用立方体转移区域格林函数表的几何对称性，对若干种含多介质层的转移立方体进行压缩形式的预刻画，获得压缩的预刻画数据；其中，所述预刻画数据包括：含两层介质层转移区域的转移概率分布GFT、以及相应权值分布数据WVT；

基于所述压缩的预刻画数据对多层介质互连结构进行随机行走电容参数提取。

可选地，在本申请一些实施例中，所述根据给定的集成电路互连工艺信息，利用立方体转移区域格林函数表的几何对称性，对若干种含多介质层的转移立方体进行压缩形式的预刻画，获得压缩的预刻画数据，包括：

S11，获取给定的集成电路互连工艺信息之中的集成电路介质层信息，假设不同介质交界面都是水平的；

S12，构建一个单位长度的转移立方体区域，且假定所述转移立方体区域的边界被分割成n份，其中所述n为偶数；

S13，在所述转移立方体区域内部垂直平面P1和垂直平面P3处使用对称电势条件，对三棱柱子区域应用有限差分法计算GFT和z方向的WVT；其中，所述三棱柱子区域由转移立方体的正侧面、底面、顶面和面M₃围成的，所述面M₃为所述转移立方体内垂直于所述底面的对角面；