[发明专利]一种电路板组件、电子设备和电路板组件的加工方法在审

专利信息
申请号: 202110189317.4 申请日: 2021-02-19
公开(公告)号: CN114980496A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 史洪宾;张鑫 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H05K1/11 分类号: H05K1/11;H05K3/40
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电路板 组件 电子设备 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种电路板组件(30),其特征在于,包括电路板(31)和第一电子元器件(32);

所述电路板(31)的表面设有凹槽(311),所述凹槽(311)的底面阵列设有多个第一焊盘(312);

所述第一电子元器件(32)具有第一表面(100),所述第一表面(100)与所述凹槽(311)的底面相对,所述第一表面(100)阵列设有多个第一导电件(33),多个第一导电件(33)向靠近所述凹槽(311)的底面的方向凸出,且所述多个第一导电件(33)的靠近所述凹槽(311)的底面的端部分别与所述多个第一焊盘(312)相接,所述多个第一导电件(33)的位于所述第一表面(100)与所述第一焊盘(312)之间的部分在与所述电路板(31)垂直的方向上的高度h满足:h<(0.21×lnd+0.36)mm;其中,d为所述多个第一导电件(33)在所述第一表面(100)的阵列间距。

2.根据权利要求1所述的电路板组件(30),其特征在于,所述第一电子元器件(32)为晶圆级封装结构,所述第一导电件(33)内锡的质量占比大于或者等于95.5%%,并小于95.71%。

3.根据权利要求2所述的电路板组件(30),其特征在于,所述第一电子元器件(32)为扇入型晶圆级芯片尺寸封装结构或扇出型晶圆级芯片尺寸封装结构。

4.根据权利要求1所述的电路板组件(30),其特征在于,所述第一电子元器件(32)为非晶圆级封装结构,所述第一导电件(33)内锡的质量占比大于97.89%,并小于或者等于98.25%。

5.根据权利要求4所述的电路板组件(30),其特征在于,所述第一电子元器件(32)为倒装芯片型芯片尺寸封装结构、倒装芯片型球栅格阵列封装结构或引线键合型球栅格阵列封装结构。

6.根据权利要求1-5任一项所述的电路板组件(30),其特征在于,所述电路板(31)包括由金属层(31a)和绝缘介质层(31b)依次交替并堆叠而成的多层布线结构;

所述凹槽(311)贯穿所述多层布线结构的至少一层金属层(31a)和至少一层所述绝缘介质层(31b),且所述多个第一焊盘(312)位于所述多层布线结构的一层金属层(31a)内。

7.根据权利要求6所述的电路板组件(30),其特征在于,所述凹槽(311)贯穿所述多层布线结构的一层金属层(31a)和一层绝缘介质层(31b)。

8.根据权利要求6所述的电路板组件(30),其特征在于,所述凹槽(311)贯穿所述多层布线结构的两层金属层(31a)和两层绝缘介质层(31b)。

9.根据权利要求1-8任一项所述的电路板组件(30),其特征在于,所述第一电子元器件(32)还具有与所述第一表面(100)背对的第二表面(200),所述第二表面(200)阵列设有多个第二焊盘(313);

所述电路板组件(30)还包括第二电子元器件(34),所述第二电子元器件(34)位于所述第二表面(200)的远离所述第一表面(100)的一侧,所述第二电子元器件(34)具有第三表面(300),所述第三表面(300)与所述第二表面(200)相对,且所述第三表面(300)阵列设有多个第二导电件(35),所述多个第二导电件(35)向靠近所述第二表面(200)的方向凸出,且所述多个第二导电件(35)的靠近所述第二表面(200)的端部分别与所述多个第二焊盘(313)相接。

10.根据权利要求9所述的电路板组件(30),其特征在于,所述第一电子元器件(32)为处理器芯片,所述第二电子元器件(34)为存储器芯片。

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