[发明专利]一种获取接触电阻的方法及装置

说明书

本发明提供一种获取接触电阻的方法及装置，首先获取待测界面的微观组织信息，而后将微观组织信息输入预先训练的函数模型中，获取待测界面的接触电阻。这样，利用待测界面的微观组织信息以及预先训练的函数模型能够直接获得待测界面的接触电阻，突破现有的WAT测试方法无法测试特定位置的接触电阻的限制。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种获取接触电阻的方法及装置。

背景技术

接触电阻Rc是导体间呈现的电阻，接触电阻直接影响器件的电学性能，通过对接触电阻进行测试与监控是调节芯片性能、反映器件工艺制程的重要手段之一。

目前常采用晶片允收测试(wafer acceptance test，WAT)方法测试接触电阻，但是该方法仅能够得到某区间段内的接触电阻的总和，无法测试特定位置的接触电阻。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种获取接触电阻的方法及装置，以获取待测位置的接触电阻。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种获取接触电阻的方法，包括：

获取待测界面的微观组织信息，所述微观组织信息包括：晶界长度、晶粒尺寸和/或晶面缺陷密度；

将所述微观组织信息输入预先训练的函数模型，获得所述待测界面的接触电阻。

可选的，所述将所述微观组织信息输入预先训练的函数模型之前，所述方法还包括：

获取所述函数模型的训练集，所述训练集包括：已知界面的微观组织信息和所述已知界面的接触电阻；

利用所述训练集学习微观组织信息和界面的接触电阻的映射关系；

根据所述映射关系确定所述函数模型的模型参数。

可选的，所述已知界面包括：不同材料之间的界面，相同材料不同物相之间的界面以及相同物相不同晶粒之间的界面。

可选的，所述已知界面的接触电阻的获取方法包括：

获取所述已知界面的膜层结构，所述膜层结构包括至少两个膜层；

根据每一个膜层本身的电阻以及相邻膜层之间的接触电阻，获取所述已知界面的接触电阻。

可选的，所述待测界面为3D NAND存储器中金属层和通孔之间的接触界面，或者不同金属层之间，或者不同通孔之间的接触界面。

可选的，所述获取待测界面的微观组织信息包括：

采用聚焦离子束技术制备目标样品，所述目标样品包括所述待测界面；

通过透射菊池衍射技术测试所述待测界面的微观组织信息。

一种获取接触电阻的装置，包括：

第一获取单元，用于获取待测界面的微观组织信息，所述微观组织信息包括：晶界长度、晶粒尺寸和/或晶面缺陷密度；

处理单元，用于将所述微观组织信息输入预先训练的函数模型，获得所述待测界面的接触电阻。

可选的，还包括：

第二获取单元，用于在将所述微观组织信息输入预先训练的函数模型之前，获取所述函数模型的训练集，所述训练集包括：已知界面的微观组织信息和所述已知界面的接触电阻；

学习单元，用于利用所述训练集学习微观组织信息和界面的接触电阻的映射关系；

确定单元，用于根据所述映射关系确定所述函数模型的模型参数。

可选的，所述第二获取单元包括：