[发明专利]一种获取接触电阻的方法及装置

权利要求书

1.一种获取接触电阻的方法，其特征在于，包括：

获取待测界面的微观组织信息，所述微观组织信息包括：晶界长度、晶粒尺寸和/或晶面缺陷密度；

获取函数模型的训练集，所述训练集包括：已知界面的微观组织信息和所述已知界面的接触电阻；

利用所述训练集学习微观组织信息和界面的接触电阻的映射关系；

根据所述映射关系确定所述函数模型的模型参数；

将所述微观组织信息输入预先训练的所述函数模型，预先训练的所述函数模型输出所述待测界面的接触电阻。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述已知界面包括：不同材料之间的界面，相同材料不同物相之间的界面以及相同物相不同晶粒之间的界面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述已知界面的接触电阻的获取方法包括：

获取所述已知界面的膜层结构，所述膜层结构包括至少两个膜层；

根据每一个膜层本身的电阻以及相邻膜层之间的接触电阻，获取所述已知界面的接触电阻。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述待测界面为3D NAND存储器中金属层和通孔之间的接触界面，或者不同金属层之间的接触界面，或者不同通孔之间的接触界面。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述获取待测界面的微观组织信息包括：

采用聚焦离子束技术制备目标样品，所述目标样品包括所述待测界面；

通过透射菊池衍射技术测试所述待测界面的微观组织信息。

6.一种获取接触电阻的装置，其特征在于，包括：

第一获取单元，用于获取待测界面的微观组织信息，所述微观组织信息包括：晶界长度、晶粒尺寸和/或晶面缺陷密度；

第二获取单元，用于在将所述微观组织信息输入预先训练的函数模型之前，获取所述函数模型的训练集，所述训练集包括：已知界面的微观组织信息和所述已知界面的接触电阻；

学习单元，用于利用所述训练集学习微观组织信息和界面的接触电阻的映射关系；

确定单元，用于根据所述映射关系确定函数模型的模型参数；

处理单元，用于将所述微观组织信息输入预先训练的所述函数模型，预先训练的所述函数模型输出所述待测界面的接触电阻。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二获取单元包括：

第一子获取单元，用于获取所述已知界面的膜层结构，所述膜层结构包括至少两个膜层；

第二子获取单元，用于根据每一个膜层本身的电阻以及相邻膜层之间的接触电阻，获取所述已知界面的接触电阻。

8.根据权利要求6-7任意一项所述的装置，其特征在于，所述第一获取单元包括：

制备单元，用于采用聚焦离子束技术制备目标样品，所述目标样品包括所述待测界面；

测试单元，用于通过透射菊池衍射技术测试所述待测界面的微观组织信息。