[发明专利]一种相位可控MRI图像增强超构表面器件

权利要求书

1.一种磁场增强器件，其特征在于，包括：

筒形支撑结构(50)，具有两个间隔相对的第三端(51)和第四端(53)；多个磁场增强组件(10)，间隔设置于所述筒形支撑结构(50)，并沿着所述第三端(51)向所述第四端(53)延伸；以及

第一环形导电片(510)，设置于所述筒形支撑结构(50)，并靠近所述第三端(51)，所述第一环形导电片(510)具有一个第五开口(501)，所述第五开口(501)至少部分位于两个相邻的所述磁场增强组件(10)之间，所述第一环形导电片(510)与所述多个磁场增强组件(10)位于所述第三端(51)的部分电连接；以及

第二环形导电片(520)，设置于所述筒形支撑结构(50)，并靠近所述第四端(53)，所述第二环形导电片(520)具有一个第六开口(502)，所述第六开口(502)至少部分位于两个相邻的所述磁场增强组件(10)之间，所述第二环形导电片(520)与所述多个磁场增强组件(10)位于所述第四端(53)的部分电连接。

2.如权利要求1所述的磁场增强器件，其特征在于，所述第五开口(501)和所述第六开口(502)位于相邻的两个所述磁场增强组件(10)之间。

3.如权利要求2所述的磁场增强器件，其特征在于，所述筒形支撑结构(50)具有位于所述第三端(51)和所述第四端(53)之间的中心对称面(506)，所述第五开口(501)和所述第六开口(502)关于所述中心对称面(506)对称。

4.如权利要求2所述的磁场增强器件，其特征在于，所述第五开口(501)对应的弧长和所述第六开口(502)对应的弧长小于相邻的两个所述磁场增强组件(10)之间的弧长。

5.如权利要求4所述的磁场增强器件，其特征在于，所述第五开口(501)对应的弧长和所述第六开口(502)对应的弧长是相邻的两个所述磁场增强组件(10)之间的弧长的三分之一到二分之一。

6.如权利要求1所述的磁场增强器件，其特征在于，所述磁场增强组件(10)包括：

第一电介质层(100)，包括相对设置的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，所述第一电极层(110)覆盖部分所述第一表面(101)，所述第一电极层(110)与所述第一环形导电片(510)连接；

第二电极层(120)，设置于所述第二表面(102)，所述第二电极层(120)覆盖部分所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的投影部分重叠，所述第二电极层(120)与所述第二环形导电片(520)连接。

7.如权利要求6所述的磁场增强器件，其特征在于，所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)投影重合的部分位于所述第一电介质层(100)的中部。

8.如权利要求7所述的磁场增强器件，其特征在于，还包括：

第三电极层(130)，设置于所述第一表面(101)，与所述第一电极层(110)间隔设置，所述第一电介质层(100)包括相对的第一端(103)和第二端(104)，所述第三电极层(130)由所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸，并覆盖部分所述第一表面(101)，所述第二电极层(120)与所述第三电极层(130)电连接。

9.如权利要求6所述的磁场增强器件，其特征在于，所述第一电极层(110)靠近所述第二电极层(120)的一端具有第一豁口(411)，所述第二电极层(120)靠近所述第一电极层(110)的一端具有第二豁口(412)，所述第一豁口(411)和所述第二豁口(412)在所述第一电介质层(100)的正投影重合。

10.如权利要求6所述的磁场增强器件，其特征在于，还包括第一开关控制电路(430)，所述第一开关控制电路(430)的两端分别与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)连接，所述第一开关控制电路(430)用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。