[发明专利]一种非对称正反矩形波脉冲工艺在审

专利信息
申请号: 202110167023.1 申请日: 2021-02-05
公开(公告)号: CN113162588A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 周永宁;杨文明 申请(专利权)人: 苏州润纳斯纳米科技有限公司
主分类号: H03K7/02 分类号: H03K7/02;H03K3/02
代理公司: 合肥华利知识产权代理事务所(普通合伙) 34170 代理人: 杨春女
地址: 215000 江苏省苏州市相城*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 对称 正反 矩形 脉冲 工艺
【说明书】:

发明公开了一种非对称正反矩形波脉冲工艺,具体涉及矩形波脉冲工艺技术领域,用矩形脉冲go(t)表示二进制数字0,矩形脉冲go(t)包含c个脉冲宽度为τ的窄脉冲,用矩形脉冲g1(t)表示二进制数字1。本发明通过提供接近于周期波的非对称信息源,当用于正弦调制时,得到的调制结果已经完全接近正弦信号,频带利用率极高,提供的信息源或调制信号便于集成电路的制作,适应面宽,加速负载电压下降过程,且保证负载上无电压振荡,确保非对称正反矩形波脉冲特性,电路全部采用固体器件,整个系统稳定性强、体积小、寿命长,为高电压、快上升及快下降脉冲电路提供了全新的设计方案,通过光耦隔离,使触发信号可靠性和精准度高,输出电压可以根据负载需求调整。

技术领域

本发明实施例涉及矩形波脉冲工艺技术领域,具体涉及一种非对称正反矩形波脉冲工艺。

背景技术

在高压电工技术领域中,有许多高压脉冲的实现方法,由于不同应用场合对电压的波形有特定的要求,需要设计具有电压上升和下降速度快,且抖动下的电源,以满足激光领域的应用需求。此类电源的典型负载是电光晶体,由于泡克耳斯效应,各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性,物质的折射率因外加电场而发生变化,高压快脉冲作用到电光晶体上可以产生电光效应,此技术广泛运用于激光聚变装置、等离子体诊断、加速器技术等领域,随着激光技术的不断发展,对快脉冲电源的精度需求越来越高,具体表现在前沿和后沿均保持在纳秒级,电压幅值达几十千伏,电压达到最大后超调抖动不超过百分之一,平顶时间段电压下降不超过百分之一,因此,对器件的选择和回路设计都提出了更高的要求。

在外加电场极化法的原有技术中,电源电路全部由电子器件实现,高压矩形脉冲产生的方法中主要有:高频脉冲加低频脉冲调制、脉冲变压器升压和高反向耐压开关管直流斩波。高频脉冲加低频脉冲调制的方法,电源输出脉冲频率最小是75Hz,输出脉冲幅值最大12kV,在频率可调整范围、输出幅值可调整范围方面难以满足各种规格晶片极化的要求:脉冲变压器升压的方法,由于电场极化法要求电源输出脉冲频率低,变压器体积巨大,不易制造,同时脉冲波形难以保证要求;高反向耐压开关管直流斩波的方法,由于受到现有制作水平的限制,目前商用的开关管的最大反向耐压只有3kV,因此输出电压的幅值受到限制,虽然氢闸管的反向耐压值高,由于造价高,且依赖进口,没有普遍推广“的意义。由于电场极化法要求电源输出脉冲频率低,脉冲宽度宽,脉冲幅度高,平顶下降小,并且诸多参数在使用过程中需要调整,因此采用常规方法,不仅难以达到各种规格晶片极化的技术要求,而且由于器件的制作水平受到限制不易制造。

发明内容

为此,本发明实施例提供一种非对称正反矩形波脉冲工艺,通过提供接近于周期波的非对称信息源,当用于正弦调制时,得到的调制结果已经完全接近正弦信号,因而其频谱能量高度集中,占用带宽更窄,若以有限带外衰减带宽或99%功率带宽计算,则频带利用率极高,提供的信息源或调制信号便于集成电路的制作,适应面宽,只要改变c,τ,Ts即可控制信号频谱特性和传输码率,在同样的发射功率下得到不同的传输性能,以适应不同的信道环境,可以保证放电截止时电源端直接接地,加速负载电压下降过程,且保证负载上无电压振荡,使脉冲下降沿时间更短,确保非对称正反矩形波脉冲特性,电路全部采用固体器件,可以调整输出电压脉宽和频率,单个器件失败时不影响电路工作的安全性,整个系统稳定性强、体积小、寿命长,为高电压、快上升及快下降脉冲电路提供了全新的设计方案,通过光耦隔离,触发信号稳定可靠,输出高压对控制芯片的干扰较小,所有半导体开关器件同时动作,提高触发的可靠性和精准度,输出电压可以根据负载需求调整,以解决现有技术中由于高频脉冲加低频脉冲调制、脉冲变压器升压和高反向耐压开关管直流斩波的方法存在电压超调,“平顶”的平整度不理想,波尾延长,电压下降缓慢,难以达到各种规格晶片极化的技术要求,器件的制作水平受到限制不易制造的问题。

为了实现上述目的,本发明实施例提供如下技术方案:一种非对称正反矩形波脉冲工艺,具体步骤如下:用矩形脉冲go(t)表示二进制数字0,矩形脉冲 go(t)包含c个脉冲宽度为τ的窄脉冲,其函数表达式为:

1.go(t)=II(t)0≤tdτ

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