[发明专利]电池片和具有其的光伏组件

权利要求书

1.一种电池片，其特征在于，包括：

电池片本体；

多个主栅线，多个所述主栅线包括多个正面主栅线和多个背面主栅线，多个所述正面主栅线彼此间隔开地设在所述电池片本体的正面，多个所述背面主栅线彼此间隔开地设在所述电池片本体的背面，所述正面主栅线和所述背面主栅线的数量均为12；

多个正面副栅线，多个所述正面副栅线沿所述正面主栅线的延伸方向彼此间隔开地设在所述电池片本体的正面，每个所述正面副栅线的宽度为W₁，每个所述正面副栅线的高度为H₁，其中，所述W₁、H₁分别满足：25μm≤W₁≤50μm，8μm≤H₁≤20μm；

多个背面副栅线，多个所述背面副栅线沿所述背面主栅线的延伸方向彼此间隔开地设在所述电池片本体的背面。

2.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，每个所述背面副栅线的宽度为W₂，每个所述背面副栅线的高度为H₂，其中，所述W₂、H₂分别满足：40μm≤W₂≤60μm，8μm≤H₂≤20μm。

3.根据权利要求2所述的电池片，其特征在于，所述W₁、W₂进一步满足：W₁＜W₂。

4.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，所述电池片为异质结电池片。

5.根据权利要求4所述的电池片，其特征在于，所述电池片本体包括n型单晶衬底，所述n型单晶衬底的厚度为D₁，其中，所述D₁满足：90μm≤D₁≤160μm。

6.根据权利要求5所述的电池片，其特征在于，所述n型单晶衬底的正面沿朝向远离所述n型单晶衬底中心的方向依次设有第一a-Si:H层、n+掺杂a-Si:H层和第一TCO层，所述n型单晶衬底的背面沿朝向远离所述n型单晶衬底中心的方向依次设有第二a-Si:H层、p+掺杂a-Si:H层和第二TCO层。

7.根据权利要求6所述的电池片，其特征在于，所述第一a-Si:H层的厚度为D₂，所述第二a-Si:H层的厚度为D₃，其中，所述D₂、D₃分别满足：4nm≤D₂≤5nm，4nm≤D₃≤5nm。

8.根据权利要求6所述的电池片，其特征在于，所述n+掺杂a-Si:H层的厚度为D₄，所述p+掺杂a-Si:H层的厚度为D₅，其中，所述D₄、D₅分别满足：4nm≤D₄≤5nm，5nm≤D₅≤6nm。

9.根据权利要求6所述的电池片，其特征在于，所述第一TCO层的厚度为D₆，所述第二TCO层的厚度为D₇，其中，所述D₆、D₇分别满足：65nm≤D₆≤75nm，65nm≤D₇≤75nm。

10.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，所述背面主栅线的电阻率大于等于所述正面主栅线的电阻率，所述背面副栅线的电阻率大于等于所述正面副栅线的电阻率。