[发明专利]一种工业硅降铁除磷的方法有效
| 申请号: | 202110126691.X | 申请日: | 2021-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN112723358B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
| 发明(设计)人: | 伍继君;何乾;马文会;魏奎先;陈正杰;雷云;李绍元 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
| 主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 | 代理人: | 朱维 |
| 地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 工业 硅降铁 方法 | ||
1.一种工业硅降铁除磷的方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)将工业硅细磨得到工业硅粉;
(2)将步骤(1)工业硅粉置于酸溶液中搅拌反应除铁,清洗烘干得到低铁工业硅粉;其中酸溶液为HNO3、HCl、王水、HNO3-HF混合酸或HCl-HF混合酸;
(3)将步骤(2)低铁工业硅粉置于配有等离子体炬的真空感应炉内,真空条件下,感应加热工业硅粉至熔融态得到熔融硅;
(4)将电弧诱导的等离子体射流引导至步骤(3)的熔融硅表面进行化学冶炼,等离子体射流搅动熔融硅产生高温点,使磷挥发从熔融硅中逸出得到低磷熔融硅;其中等离子气体为Ar、Ar-O2混合气或Ar-H2混合气;Ar-O2混合气中Ar的体积分数为95%,Ar-H2混合气中Ar的体积分数为70%或95%;
(5)步骤(4)低磷熔融硅随炉冷却至室温得到硅锭,去除硅锭表面的浮渣,得到低磷工业硅。
2.根据权利要求1所述工业硅降铁除磷的方法,其特征在于:步骤(1)工业硅粉的粒径不大于1000μm。
3.根据权利要求2所述工业硅降铁除磷的方法,其特征在于:工业硅粉的粒径为250-1000μm、150-250μm、106-150μm、75-106μm或小于75μm。
4.根据权利要求1所述工业硅降铁除磷的方法,其特征在于:HNO3浓度为2-6 mol/L,HCl浓度为2-6 mol/L,HNO3-HF混合酸中HNO3浓度为1-5 mol/L、HF浓度为1-5 mol/L,HCl-HF混合酸中HCl浓度为1-5 mol/L、HF浓度为1-5 mol/L。
5.根据权利要求1所述工业硅降铁除磷的方法,其特征在于:步骤(2)反应温度为35-75℃,反应时间为2-8h;酸溶液与工业硅粉的液固比mL:g为2-6:1。
6.根据权利要求1所述工业硅降铁除磷的方法,其特征在于:等离子体发生器功率为13-16kW,电弧诱导的等离子体射流化学冶炼时间为5-20min,等离子气体距熔融硅液面为20-60 mm,气体流速为4.0-7.0m3/h。
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