[发明专利]具有量子点的半导体器件、显示装置、成像系统、和移动体

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，其包括：

阳极；

阴极；

在所述阳极和所述阴极之间的第一功能层，所述第一功能层包含具有第一配体的第一量子点；和

在所述第一功能层和所述阴极之间的第二功能层，所述第二功能层包含具有与所述第一配体不同的第二配体的第二量子点，所述第二配体为具有硫键和酯键的芳香族化合物。

2.一种半导体器件，其特征在于，其包括：

阳极；

阴极；

在所述阳极和所述阴极之间的第一功能层，所述第一功能层包含具有第一配体的第一量子点；和

在所述第一功能层和所述阴极之间的第二功能层，所述第二功能层包含具有与所述第一配体不同的第二配体的第二量子点，

其中所述第二量子点的导带最低能量和所述第二配体的三重态激发能的差小于所述第一量子点的导带最低能量和所述第一配体的三重态激发能之间的差。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二量子点的导带最低能量高于所述第二配体的三重态激发能。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二量子点的导带最低能量和所述第二配体的三重态激发能的差为0.8eV以下。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二量子点的导带最低能量和所述第二配体的三重态激发能的差为0.3eV以下。

6.一种半导体器件，其特征在于，其包括：

阳极；

阴极；

在所述阳极和所述阴极之间的第一功能层，所述第一功能层包含具有第一配体的第一量子点；和

在所述第一功能层和所述阴极之间的第二功能层，所述第二功能层包含具有与所述第一配体不同的第二配体的第二量子点，

其中所述第二量子点的导带最低能量和所述第二配体的单重态激发能的差小于所述第一量子点的导带最低能量和所述第一配体的单重态激发能之间的差。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二量子点的导带最低能量高于所述第二配体的单重态激发能。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二量子点的导带最低能量和所述第二配体的单重态激发能的差为0.3eV以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中所述第一功能层的光电转换效率高于所述第二功能层的光电转换效率。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中所述第二功能层的厚度相对于所述阳极和所述阴极之间的距离为25％以下。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中所述第二功能层的厚度相对于所述阳极和所述阴极之间的距离为1.5％至25％。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中所述第二功能层中包含的所述第二量子点的所述第二配体选自由4-巯基苯甲酸、3-巯基苯甲酸、和2-巯基苯甲酸组成的组。

13.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中所述第一功能层和所述第二功能层各自为由胶体量子点构成的量子点膜。

14.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中所述第一功能层和所述第二功能层中的至少一者包含选自由碘、氯、溴、和氟组成的组中的卤素。

15.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中所述第一功能层和所述第二功能层用作光电转换层。