[发明专利]控制硅片TDH的设备和方法在审

专利信息
申请号: 202110121145.7 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN112880369A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 史进;郭盾 申请(专利权)人: 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
主分类号: F26B15/14 分类号: F26B15/14;F26B15/18;F26B21/00;F26B25/00;B65B35/44;B65B57/14;B65B57/18
代理公司: 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) 11513 代理人: 李蔚君
地址: 710032 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 控制 硅片 tdh 设备 方法
【说明书】:

发明公开了一种控制硅片TDH的设备和方法,所述控制硅片TDH的设备包括干燥箱和打包装置,所述干燥箱包括壳体、第一输送装置、干燥装置和第一湿度检测装置,所述壳体的两端设置有进料口和出料口,所述第一输送装置穿过所述壳体,所述第一输送装置的两端分别位于所述进料口和出料口处,所述第一输送装置上能够放置多个片盒,所述干燥装置沿着所述第一输送装置的输送方向设置,所述第一湿度检测装置能够检测所述出料口处的片盒的湿度,所述打包装置的进口连接所述出料口,所述打包装置能够打包所述出料口输出的所述片盒。本发明提供的控制硅片TDH的设备和方法能够有效减少硅片出现TDH现象。

技术领域

本发明涉及硅片质量控制技术领域,尤其涉及一种控制硅片TDH的设备和控制硅片TDH的方法。

背景技术

硅抛光片的清洗工艺在IC制造中的作用越来越大,据估计由于硅片表面颗粒和金属沾污造成的损失占整个器件制造中总损失的一半以上,因此硅片的清洗步骤越来越多,同时国际半导体技术发展路线对硅片表面可接受的颗粒尺寸及数目提出更高要求,硅片清洗后,表面颗粒密度非常低,有些硅片在存放过程中会出现颗粒增长的现象,颗粒增长一般开始表现为小尺寸颗粒的增多,在强光照射下观察会变色,硅片表面颗粒聚集形成TDH(时间依赖性雾)。

作为晶圆厂的基板供应商,硅片厂被要求严格控制所生产的硅片的TDH现象。由于TDH是在后续存放过程中产生的,不可提前预测和检测,对后续器件加工有非常致命的影响。因此一旦提供的硅片出现TDH现象,将影响客户端的正常生产,导致客户端抱怨发生。

发明内容

本发明的目的是提供一种控制硅片TDH的设备和方法,能够有效减少硅片出现TDH现象。

为了实现上述目的,一方面,本发明提供了一种控制硅片TDH的设备,包括干燥箱和打包装置,所述干燥箱包括壳体、第一输送装置、干燥装置和第一湿度检测装置,所述壳体的两端设置有进料口和出料口,所述第一输送装置穿过所述壳体,所述第一输送装置的两端分别位于所述进料口和出料口处,所述第一输送装置上能够放置多个片盒,所述干燥装置沿着所述第一输送装置的输送方向设置,所述第一湿度检测装置能够检测所述出料口处的片盒的湿度,所述打包装置的进口连接所述出料口,所述打包装置能够打包所述出料口输出的所述片盒。

优选地,所述第一输送装置为穿过所述壳体的传送带

优选地,所述打包装置包括第二输送装置,所述第一输送装置和第二输送装置为同一传送带。

优选地,所述干燥装置为多个,多个所述干燥装置沿着所述第一输送装置的输送方向设置。

优选地,所述壳体内还设置有多个第二湿度检测装置,在每个干燥装置处均设置有一个第二湿度检测装置。

优选地,所述第二湿度检测装置设置在所述壳体的顶部。

优选地,所述打包装置的进口处设置有第三湿度检测装置,用于检测进入所述打包装置的片盒的湿度。

另一方面,本发明还提供了一种控制硅片TDH的方法,在片盒进入打包装置前,通过干燥箱梯度干燥所述片盒,使得进入所述打包装置的片盒的湿度小于等于35%RH。

优选地,检测进入打包装置的片盒的湿度,当检测到的湿度大于35%RH时,打包装置停止工作,并再次干燥所述片盒。

优选地,当检测到的湿度大于35%RH时,报警装置发出警报。

本发明与现有技术的不同之处在于,本发明提供的控制硅片TDH的设备通过设置相互配合的干燥箱和打包装置,在对硅片进行打包之前,通过第一输送装置将放置有硅片的片盒逐步输送至打包装置,并在输送过程中通过干燥装置干燥片盒,能够使得被打包的片盒的湿度小于等于35%RH,从而减少密封包装后的硅片产生TDH的概率。因此本发明提供的控制硅片TDH的设备和方法能够有效减少硅片出现TDH现象。

附图说明

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