[发明专利]压力传感器有效

专利信息
申请号: 202110116905.5 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN113203514B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 德田智久;结城兴仁;田中达夫 申请(专利权)人: 阿自倍尔株式会社
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;G01L9/06;G01L9/16
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 肖华
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 压力传感器
【权利要求书】:

1.一种压力传感器,其特征在于,具备:

膜片层;

受压区域,其形成于所述膜片层;

压电应变测定部,其由压电应变元件构成,所述压电应变元件设置在所述受压区域的外周部的所述膜片层上,利用压电电阻效应测定所述受压区域的应变;以及

磁应变测定部,其由磁应变元件构成,所述磁应变元件设置在所述膜片层的所述受压区域,由磁化因应变而变化的材料构成,测定所述受压区域的应变。

2.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,

所述压电应变测定部和所述磁应变测定部配置在所述受压区域的、产生的应力成为峰值的位置。

3.根据权利要求1或2所述的压力传感器,其特征在于,

所述压电应变测定部配置在所述受压区域的产生压电效应的部位。

4.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,

所述压电应变测定部由构成第一桥电路的第一压电应变元件、第二压电应变元件、第三压电应变元件以及第四压电应变元件构成,

所述磁应变测定部由构成第二桥电路的第一磁应变元件、第二磁应变元件、第三磁应变元件以及第四磁应变元件构成,

所述磁应变测定部配置在与所述压电应变测定部不同的部位。

5.根据权利要求2所述的压力传感器,其特征在于,

所述压电应变测定部由构成第一桥电路的第一压电应变元件、第二压电应变元件、第三压电应变元件以及第四压电应变元件构成,

所述磁应变测定部由构成第二桥电路的第一磁应变元件、第二磁应变元件、第三磁应变元件以及第四磁应变元件构成,

所述磁应变测定部配置在与所述压电应变测定部不同的部位。

6.根据权利要求3所述的压力传感器,其特征在于,

所述压电应变测定部由构成第一桥电路的第一压电应变元件、第二压电应变元件、第三压电应变元件以及第四压电应变元件构成,

所述磁应变测定部由构成第二桥电路的第一磁应变元件、第二磁应变元件、第三磁应变元件以及第四磁应变元件构成,

所述磁应变测定部配置在与所述压电应变测定部不同的部位。

7.根据权利要求4~6中任一项所述的压力传感器,其特征在于,

所述第一压电应变元件、所述第二压电应变元件、所述第三压电应变元件以及所述第四压电应变元件各自的俯视的形状为长方形,

所述第一压电应变元件和所述第三压电应变元件为各自的长边方向的轴与从所述受压区域的中心朝向径向的直线平行的状态,

所述第二压电应变元件和所述第四压电应变元件为各自的长边方向的轴与从所述受压区域的中心朝向径向的直线垂直的状态。

8.根据权利要求7所述的压力传感器,其特征在于,

所述第一压电应变元件和所述第二压电应变元件相邻配置,

所述第三压电应变元件和所述第四压电应变元件相邻配置。

9.根据权利要求7所述的压力传感器,其特征在于,还具备:

第一副受压区域、第二副受压区域、第三副受压区域以及第四副受压区域,其形成在所述膜片层的所述受压区域的周围;

第一副压电应变元件、第二副压电应变元件,其设置在所述第一副受压区域;

第一副磁应变元件、第二副磁应变元件,其设置在所述第二副受压区域;

第三副压电应变元件、第四副压电应变元件,其设置在所述第三副受压区域;以及

第三副磁应变元件、第四副磁应变元件,其设置在所述第四副受压区域,

所述第一副受压区域、所述第二副受压区域、所述第三副受压区域以及所述第四副受压区域分别配置在距所述受压区域的中心等距离处。

10.根据权利要求8所述的压力传感器,其特征在于,还具备:

第一副受压区域、第二副受压区域、第三副受压区域以及第四副受压区域,其形成在所述膜片层的所述受压区域的周围;

第一副压电应变元件、第二副压电应变元件,其设置在所述第一副受压区域;

第一副磁应变元件、第二副磁应变元件,其设置在所述第二副受压区域;

第三副压电应变元件、第四副压电应变元件,其设置在所述第三副受压区域;以及

第三副磁应变元件、第四副磁应变元件,其设置在所述第四副受压区域,

所述第一副受压区域、所述第二副受压区域、所述第三副受压区域以及所述第四副受压区域分别配置在距所述受压区域的中心等距离处。

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