[发明专利]显示面板及显示屏有效
申请号: | 202110111175.X | 申请日: | 2021-01-27 |
公开(公告)号: | CN112864175B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 金玉;李磊;王恩来;陆蕴雷;张鹏辉;马明冬;黄佳兵;胡月敏 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示屏 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括有效显示区及远离所述有效显示区一侧的邦定区,所述显示面板还包括:
阵列基板;
位于所述阵列基板上的平坦化层,所述平坦化层在所述阵列基板对应的所述邦定区形成多个平坦化层开口,每个所述平坦化层开口位于所述阵列基板的不同源极层上,所述平坦化层开口处裸露的源极层形成与覆晶薄膜的金手指邦定的邦定焊盘,其中,所述源极层远离所述有效显示区的一端位于所述平坦化层正投影之外;
位于所述平坦化层远离所述阵列基板一侧的阳极膜层,在远离所述有效显示区的一端,所述阳极膜层形成的导电线被所述平坦化层开口隔断,所述导电线与所述源极层绝缘。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述平坦化层开口包括靠近所述有效显示区的一侧的第一平坦化层开口及远离所述有效显示区的一侧的第二平坦化层开口;
所述第一平坦化层开口包括沿远离所述有效显示区的方向延伸的第一开口边缘、第二开口边缘,及连接所述第一开口边缘及第二开口边缘靠近所述有效显示区一端的第三开口边缘;
所述第二平坦化层开口包括第四开口边缘、第五开口边缘、及沿远离所述有效显示区的方向延伸的第六开口边缘及第七开口边缘,其中,所述第四开口边缘连接在所述第一开口边缘远离所述有效显示区的一端与所述第六开口边缘靠近所述有效显示区的一端之间,所述第五开口边缘连接在所述第二开口边缘远离所述有效显示区的一端与所述第七开口边缘靠近所述有效显示区的一端之间。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口边缘与所述第二开口边缘之间的距离小于所述第六开口边缘与第七开口边缘之间的距离。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口边缘、第二开口边缘及第三开口边缘的正投影位于对应的源极层内,所述第六开口边缘及第七开口边缘的正投影分别位于对应的源极层的两侧。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第六开口边缘与第七开口边缘之间的距离,大于所述金手指的宽度与两个导电金球直径的和。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第六开口边缘与靠近该第六开口边缘的源极层边缘之间的距离大于1um;所述第七开口边缘与靠近该第七开口边缘的源极层边缘之间的距离大于1um。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述平坦化层开口包括沿远离所述有效显示区的方向延伸的第八开口边缘、第九开口边缘,及连接所述第八开口边缘及第九开口边缘靠近所述有效显示区一端的第十开口边缘;
所述第八开口边缘、第九开口边缘及第十开口边缘的正投影位于对应的所述源极层内。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的显示面板,其特征在于,
所述不同源极层相互隔离,多个邦定焊盘相互平行。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
所述源极层的宽度为17um~19um,相邻的源极层之间的间隔距离为6um~7um,相邻的邦定焊盘之间的间隔距离为10um~11um,所述邦定焊盘的宽度13.5um~14.5um。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,
所述源极层的宽度为18um,相邻的源极层之间的间隔距离为6.7um,相邻的邦定焊盘之间的间隔距离为10.7um,所述邦定焊盘的宽度为14um。
11.如权利要求1-7中任意一项所述的显示面板,其特征在于,还包括解复用电路及测试电路;
所述解复用电路位于所述邦定焊盘靠近所述有效显示区的一侧,并与所述邦定焊盘靠近所述有效显示区的一端连接,所述解复用电路用于将一路信号分解层多路信号;
所述测试电路位于所述邦定焊盘远离所述有效显示区的一侧,并与所述邦定焊盘远离所述有效显示区的一端连接,所述测试电路用于测试是否存在相邻导电焊盘之间的短路。
12.一种显示屏,其特征在于,所述显示屏包括覆晶薄膜、位于所述覆晶薄膜的金手指及权利要求1-11中任意一项所述的显示面板;
所述覆晶薄膜通过所述金手指与所述显示面板上的邦定焊盘邦定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的