[发明专利]晶圆处理装置与晶圆处理方法

说明书

本申请公开了一种晶圆处理装置与晶圆处理方法，该晶圆处理装置包括：晶圆承载台，用于放置晶圆；喷砂组件，喷砂组件包括喷料嘴，喷料嘴朝向晶圆承载台，用于将磨料喷射至晶圆的边缘。该晶圆处理装置通过采用喷砂的方式代替刀具修正晶圆的边缘，从而减小了对晶圆的损伤，同时增加了晶圆表面的平整度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地，涉及晶圆处理装置与晶圆处理方法。

背景技术

由于刚从圆柱硅锭上切割下来的晶圆的外边缘很锋利，而单晶硅是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶圆的强度，会对硅片进行圆边(Edge Profiling)处理，使得晶圆的边缘呈圆角，而圆角部分不宜形成半导体结构。

在基于晶圆形成多个半导体器件之后，需要对晶圆进行切割以将多个半导体器件分隔，在此之前，还需要对晶圆进行修边(Trimming)，以便于后续对晶圆的器件区进行切割、封装或其他工艺。

然而，现有工艺中采用刀具对晶圆进行修边，极易对晶圆造成损伤，因此希望提出一种改进的晶圆处理装置与晶圆处理方法，以减小修边工艺对晶圆的影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种改进的晶圆处理装置与晶圆处理方法，其中，通过采用喷砂的方式代替刀具对晶圆进行修边，从而减小了对晶圆的损伤，同时增加了晶圆表面的平整度。

根据本发明实施例的一方面，提供了一种晶圆处理装置，包括：晶圆承载台，用于放置晶圆；喷砂组件，所述喷砂组件包括喷料嘴，所述喷料嘴朝向所述晶圆承载台，用于将磨料喷射至晶圆的边缘。

可选地，所述喷砂组件还包括；连通所述喷料嘴的喷砂通道；以及第一驱动部件，连接所述喷砂通道，所述第一驱动部件用于将所述磨料经所述喷砂通道输送至所述喷料嘴。

可选地，所述喷砂通道与所述喷料嘴的进料口连通，其中，所述喷料嘴的出料口的口径沿远离所述进料口的方向逐渐增大。

可选地，还包括喷气组件，所述喷气组件包括喷气嘴，所述喷气嘴朝向所述晶圆承载台，用于将气体喷射至所述晶圆的边缘与所述晶圆的器件区之间。

可选地，所述喷气组件还包括：连通所述喷气嘴的喷气通道；以及第二驱动部件，连接所述喷气通道，所述第二驱动部件用于将所述气体经所述喷气通道输送至所述喷气嘴。

可选地，还包括磨料分离装置，经管道与所述第一驱动部件连接，所述磨料分离装置用于分离所述磨料以及被所述磨料从所述晶圆上分离的晶圆颗粒，并将分离出的所述磨料输送至所述第一驱动部件。

可选地，所述磨料包括多个固体颗粒，所述固体颗粒的材料包括氧化铝和/或石英。

可选地，所述固体颗粒的直径范围包括70至140纳米。

根据本发明实施例的另一方面，提供了一种晶圆处理方法，包括：将晶圆放置于晶圆承载台；通过喷砂组件的喷料嘴将磨料喷射至所述晶圆的边缘，去除所述晶圆的至少部分边缘的结构。

可选地，还包括控制所述喷砂组件在所述晶圆的边缘形成台阶后停止喷射所述磨料。

可选地，还包括控制所述喷料嘴的出料口与所述晶圆表面所呈的角度。

可选地，还包括通过喷气组件的喷气嘴将气体喷射至所述晶圆的边缘与所述晶圆的器件区之间以阻挡所述磨料溅射至所述晶圆的器件区。

可选地，还包括：收集所述喷料嘴喷射至所述晶圆的边缘的所述磨料以及被所述磨料从所述晶圆上分离的晶圆颗粒；以及将收集到的所述磨料与所述晶圆颗粒分离，并将分离出的所述磨料输送至所述喷料嘴。