[发明专利]一种检测方法

说明书

本发明提供一种检测方法，在衬底上依次形成第一绝缘层、第一栅极层和第一覆盖层，第一覆盖层的高度根据待测晶圆的预设层的第二栅极层上的第二覆盖层确定，第一覆盖层和第二覆盖层材料相同，第一栅极层和预设层的第二栅极层材料相同，第一覆盖层中的第一通孔和第二覆盖层中的第二通孔利用相同刻蚀参数刻蚀得到；通过第一通孔贯穿第一栅极层确定第二通孔贯穿预设层的第二栅极层。通过在衬底上模拟待测晶圆的预设层的第二栅极层以及预设层的第二栅极层上的第二覆盖层，通过第一覆盖层中的第一通孔的蚀刻情况确定待测晶圆的第二覆盖层中的第二通孔的蚀刻情况，无需在衬底上形成待测晶圆的预设层的第二栅极层下的堆叠层，简化检测工艺，缩短制造周期。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种检测方法。

背景技术

在3D NAND存储器中，存储阵列可包括核心(core)区和阶梯(stair step，SS)区。阶梯区用来供存储阵列各层中的控制栅引出接触部，作为字线连接区。这些控制栅作为存储阵列的字线，执行编程、擦写、读取等操作。

在3D NAND存储器的制作过程中，在阶梯区的各级阶梯结构上刻蚀形成接触孔，然后填充接触部，从而引出控制栅。在实际生产过程中，不易实现接触孔恰好落在阶梯结构上，可能存在刻蚀穿通(Punch Through)的缺陷。

现有的检测刻蚀穿通的缺陷的方法是在接触孔内填充满导电物质后或者在芯片被制造出来后通过电子束扫描检测机台(e-beam)检测接触孔的导电能力刻蚀穿通的缺陷，但是该方法需要耗费较长的时间。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种检测方法，以缩短检测接触孔蚀刻穿通的时间。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种检测方法，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有第一绝缘层、第一栅极层和第一覆盖层，所述第一覆盖层中形成有第一通孔；

所述第一覆盖层的高度根据待测晶圆的预设层的第二栅极层上的第二覆盖层确定；

所述第一覆盖层与所述第二覆盖层具有相同的材料，所述第一栅极层和所述预设层的第二栅极层具有相同的材料，所述第二覆盖层中形成有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔利用相同刻蚀参数刻蚀得到；

通过所述第一通孔贯穿所述第一栅极层确定所述第二通孔贯穿所述预设层的第二栅极层。

可选的，所述通过所述第一通孔贯穿所述第一栅极层确定所述第二通孔贯穿所述第二栅极层包括：

通过所述第一绝缘层的损伤确定所述第一通孔贯穿所述第一栅极层，以确定所述第二通孔贯穿所述第二栅极层。

可选的，所述第一绝缘层和所述第一覆盖层为相同的材料；

则所述通过所述第一绝缘层的损伤确定所述第一通孔贯穿所述第一栅极层包括：

对所述第一覆盖层进行湿法腐蚀处理，以去除所述第一覆盖层；

通过所述第一绝缘层的损伤确定所述第一通孔贯穿所述第一栅极层。

可选的，所述第一覆盖层的材料为氧化硅；

所述对所述第一覆盖层进行湿法腐蚀处理，以去除所述第一覆盖层包括：

利用氢氟酸溶液对所述第一覆盖层进行湿法腐蚀处理，以去除所述第一覆盖层。

可选的，所述第一栅极层和所述第二栅极层的材料为金属钨。

可选的，所述通过所述第一绝缘层的损伤确定所述第一通孔贯穿所述第一栅极层包括：

去除所述第一栅极层；