[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其中，

该成膜装置具有：

旋转台，其设于真空容器内；

载置台，其沿着所述旋转台的周向设置，用于载置基板；

处理区域，在该处理区域，朝向所述旋转台的上表面供给处理气体；

热处理区域，其沿着所述旋转台的周向与所述处理区域分离开地配置，在该热处理区域，以比所述处理区域的温度高的温度对所述基板进行热处理；以及

冷却区域，其沿着所述旋转台的周向与所述热处理区域分离开地配置，在该冷却区域，冷却所述基板。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

该成膜装置具有分离区域，该分离区域将所述处理区域与所述热处理区域之间分离、将所述热处理区域与所述冷却区域之间分离以及将所述冷却区域与所述处理区域之间分离。

3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其中，

所述处理区域包括：

吸附区域，在该吸附区域，朝向所述旋转台的所述上表面供给原料气体而使其吸附于所述基板；以及

反应区域，其沿着所述旋转台的周向与所述吸附区域分离开地配置，在该反应区域，朝向所述旋转台的所述上表面供给反应气体而使吸附于所述基板的所述原料气体反应。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其中，

该成膜装置具有分离区域，该分离区域用于将所述吸附区域与所述反应区域之间分离。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其中，

该成膜装置具有旋转机构，该旋转机构使所述载置台相对于所述旋转台旋转。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的成膜装置，其中，

在所述热处理区域，在所述旋转台的上表面的上方设有加热单元，该加热单元加热载置于所述载置台的所述基板。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的成膜装置，其中，

在所述热处理区域设有等离子体生成部，该等离子体生成部对载置于所述载置台的所述基板进行等离子体处理。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的成膜装置，其中，

在所述冷却区域，在所述旋转台的上表面的上方设有冷却气体供给部，该冷却气体供给部向载置于所述载置台的所述基板供给冷却气体。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的成膜装置，其中，

在所述冷却区域，在所述旋转台的下表面的下方设有冷却用板，该冷却用板冷却载置于所述载置台的所述基板。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的成膜装置，其中，

该成膜装置具有控制部，

所述控制部构成为：通过使所述旋转台间歇旋转，从而以所述基板依次通过所述处理区域、所述热处理区域以及所述冷却区域的方式控制所述旋转台。

11.一种成膜方法，其中，

该成膜方法通过在沿着设于真空容器内的旋转台的旋转方向设置的多个载置台分别载置基板，并使所述旋转台间歇旋转，从而执行多次循环，该循环包括以下工序：

朝向所述基板的上表面供给处理气体；

以比供给所述处理气体的工序的温度高的温度对供给了所述处理气体的所述基板进行热处理；以及

冷却进行了热处理的所述基板。