[发明专利]发光装置在审
申请号: | 202110073463.0 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN112750932A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 陈怡名;谢明勋;许嘉良 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
本发明公开一发光装置,其具有一第一电极;一发光叠层位于第一电极之上;一第一接触层位于发光叠层之上,其中第一接触层具有一第一接触链以及多个第一接触线与第一接触链连接;一第一导电柱位于发光叠层之中,且电连接第一电极与第一接触层;以及一保护层介于第一导电柱与发光叠层之间。
本申请是中国发明专利申请(申请号:201610666583.0,申请日:2012年04月13日,发明名称:发光装置)的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光装置,特别是涉及一种具有导电柱的发光装置。
背景技术
发光二极管(Light-emitting Diode;LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图11所示,LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上,部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104,一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行,例如打线,所以大部分的主动层1106被移除,导致发光效率降低。
此外,上述的LED更可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图12为现有的发光装置结构示意图,如图12所示,一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount)1202;至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上,通过此焊料1206将上述LED 1210粘结固定于次载体1202上并使LED 1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接;以及,一电连接结构1208,以电连接LED 1210的电极1214与次载体1202上的电路1204;其中,上述的次载体1202可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate),以便发光装置12的电路规划并提高其散热效果。
发明内容
本发明公开一种发光装置,以解决上述问题。
本发明提供一发光装置,具有第一电极、发光叠层、电连接结构以及第二电极。发光叠层位于第一电极之上且具有侧壁。发光叠层包含主动层以及第一半导体层,第一半导体层具有一上表面。电连接结构位于上述上表面之上且于上述侧壁延伸,电连接第一电极与第一半导体层。第二电极与主动层重叠且与第一电极不重叠。第一电极具有第一部分与主动层重叠以及第二部分与电连接结构重叠。
本发明提供一发光装置,具有支持基板、多个发光单元、第一电极、绝缘层、第二电极以及黏结层。多个发光单元位于支持基板上且包含发光叠层。第一电极电连接于发光叠层。绝缘层位于第一电极与发光叠层之间。第二电极电连接于发光叠层,且与第一电极不重叠。黏结层,位于支持基板与多个发光单元之间。黏结层的材料为绝缘材料,且绝缘层与第一电极和第二电极直接接触。
本发明提供一发光装置,具有第一电极、发光叠层、凹部、接触层、以及导电柱。发光叠层位于第一电极之上,包含主动层。凹部位于发光叠层中。接触层位于发光叠层之上且与主动层重叠。导电柱位于凹部中且电连接第一电极与接触层。第一电极具有第一部分与主动层重叠以及第二部分与导电柱重叠。凹部的面积小于第一电极的面积,且接触层的宽度大于导电柱的宽度。
附图说明
图1A-图1E为本发明第一实施例的发光装置的制造流程图;
图1F为本发明图1E所示的发光装置的侧视图;
图1G为本发明另一实施例的发光装置的剖视图;
图2A为本发明第二实施例的发光装置的上视图;
图2B为本发明图2A所示的发光装置的剖视图;
图3为本发明第三实施例的发光装置的剖视图;
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