[发明专利]一种光刻装置及曝光方法

说明书

本发明公开了一种光刻装置，包括对应分设于测量工位和曝光工位下方的两个短程台，所述两个短程台分别设于长程台的两端；通过所述长程台的水平旋转，实现两个短程台在所述测量工位和曝光工位之间的位置交换；所述长程台上固定非接触式电容传感器的一端，所述非接触式电容传感器的另一端分别固定在所述短程台上；根据非接触式电容传感器的电容值变化信息对短程台进行位置调整，确保旋转之后的短程台与长程台之间没有发生偏移。本发明中光刻装置可以确保旋转之后的短程台相对长程台的位置无偏差。

技术领域

本发明属于光刻设备领域，具体涉及一种光刻装置及曝光方法。

背景技术

为了提高光刻处理的效率，在光刻机上对应于测量工位和曝光工位设置了两个工件台，每个工件台上分别放置硅片，同时进行硅片的测量和曝光工序。其中，对测量工位上的硅片进行坐标对准和调平等处理，对曝光工位上的硅片掩模版进行对准以及曝光等处理。然后，交换两个工件台的位置，经过测量工序处理后的硅片随着工件台被交换到曝光工位上，进行曝光处理，而之前经过曝光工序处理后的硅片可以替换为新的硅片，在测量工位上进行测量工序的处理。

现有技术中，工件台交换过程，通过设置在工件台角部用于对准等用途的位置传感器与工位进行对准，但是，由于该位置传感器只有当工件台基本到达工位对应区域时才能发挥作用，无法对工件台的交换过程进行位置检测，由于测量工位上的硅片已经完成了对准，若旋转之后的工位出现水平偏移或者偏差，则无法满足曝光条件下的对准要求，进而达不到特定的曝光效果。因此，有必要设计一种能够精准控制双工位控制台旋转的装置和方法，当旋转之后的工位发生偏移时，可以对工位的偏移进行补偿。

发明内容

本发明的目的是提供一种光刻装置及曝光方法，当旋转之后的工位发生偏移时，可以对短程台的偏移进行补偿。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：.一种光刻装置，包括对应分设于测量工位和曝光工位下方的两个短程台，所述两个短程台分别设于长程台的两端；通过所述长程台的水平旋转，实现两个短程台在所述测量工位和曝光工位之间的位置交换；所述长程台上固定非接触式电容传感器的一端，所述非接触式电容传感器的另一端分别固定在所述短程台上；根据非接触式电容传感器的电容值变化信息对短程台进行位置调整，确保旋转之后的短程台与长程台之间没有发生偏移。

进一步的，所述非接触式电容传感器包括第一支架以及固定在与第一支架相对的短程台上的第二磁铁，所述第一支架固定在所述长程台上，所述第二磁铁的其中一个端面与所述第一支架相对设置，根据非接触式电容传感器的电容值变化信息确定短程台端面与第一支架之间的相对距离。

进一步的，所述短程台为长方体结构，且每个短程台与所述长程台之间分别安装6个非接触式电容传感器；其中三个非接触式电容传感器中第二磁铁位于所述短程台的底部，另外三个非接触式电容传感器中第二磁铁分别位于所述短程台侧面垂直的两个面上。

进一步的，所述位于短程台底部的三个非接触式电容传感器中第一支架固定在所述长程台的上表面，且呈三角分布。

进一步的，所述第一支架包括第一磁铁、第一U型弹簧片、绝缘介质层、电容器和夹板；

所述第一磁铁与第二磁铁相对设置，短程台与第二磁铁一起移动，所述第一磁铁通过连线连接第一U型弹簧片，所述第一U型弹簧片靠近第一磁铁的一端固定连接绝缘介质层；

所述电容器包括正极板和负极板，所述正极板和负极板在垂直方向上交叉排列，所述绝缘介质层平行于正极板和负极板，且部分位于相邻的正极板和负极板之间；所述正极板和负极板连接至信号检测单元；所述电容器被固定在夹板上；

当所述短程台相对于长程台移动时，所述第一磁铁和第二磁铁之间的作用力发生变化，所述第一磁铁带动连线和第一U型弹簧片的位置发生变化，所述第一U型弹簧片带动所述绝缘介质层的位置发生变化，从而使得相邻正极板和负极板之间被绝缘介质层覆盖的面积发生变化，根据电容值变化信息计算所述短程台相对于长程台的移动位置。