[发明专利]一种光刻装置及曝光方法

权利要求书

1.一种光刻装置，其特征在于，包括对应分设于测量工位和曝光工位下方的两个短程台，所述两个短程台分别设于长程台的两端；通过所述长程台的水平旋转，实现两个短程台在所述测量工位和曝光工位之间的位置交换；所述长程台上固定非接触式电容传感器的一端，所述非接触式电容传感器的另一端分别固定在所述短程台上；根据非接触式电容传感器的电容值变化信息对短程台进行位置调整，确保旋转之后的短程台与长程台之间没有发生偏移。

2.根据权利要求1所述的一种光刻装置，其特征在于，所述非接触式电容传感器包括第一支架以及固定在与第一支架相对的短程台上的第二磁铁，所述第一支架固定在所述长程台上，所述第二磁铁的其中一个端面与所述第一支架相对设置，根据非接触式电容传感器的电容值变化信息确定短程台端面与第一支架之间的相对距离。

3.根据权利要求2所述的一种光刻装置，其特征在于，所述短程台为长方体结构，且每个短程台与所述长程台之间分别安装6个非接触式电容传感器；其中三个非接触式电容传感器中第二磁铁位于所述短程台的底部，另外三个非接触式电容传感器中第二磁铁分别位于所述短程台侧面垂直的两个面上。

4.根据权利要求3所述的一种光刻装置，其特征在于，位于短程台底部的三个非接触式电容传感器中第一支架固定在所述长程台的上表面，且呈三角分布。

5.根据权利要求1所述的一种光刻装置，其特征在于，所述第一支架包括第一磁铁、第一U型弹簧片、绝缘介质层、电容器和夹板；

所述第一磁铁与第二磁铁相对设置，短程台与第二磁铁一起移动，所述第一磁铁通过连线连接第一U型弹簧片，所述第一U型弹簧片靠近第一磁铁的一端固定连接绝缘介质层；

所述电容器包括正极板和负极板，所述正极板和负极板在垂直方向上交叉排列，所述绝缘介质层平行于正极板和负极板，且部分位于相邻的正极板和负极板之间；所述正极板和负极板连接至信号检测单元；所述电容器被固定在夹板上；

当所述短程台相对于长程台移动时，所述第一磁铁和第二磁铁之间的作用力发生变化，所述第一磁铁带动连线和第一U型弹簧片的位置发生变化，所述第一U型弹簧片带动所述绝缘介质层的位置发生变化，从而使得相邻正极板和负极板之间被绝缘介质层覆盖的面积发生变化，根据电容值变化信息计算所述短程台相对于长程台的移动位置。

6.根据权利要求5所述的一种光刻装置，其特征在于，所述非接触式电容传感器还包括第二支架，所述第一支架位于所述第二支架中，且所述第一支架通过第二支架固定在所述长程台；所述第二支架中还包括第二U型弹簧片和调节螺丝，所述第二U型弹簧片的一端与所述第一支架中第一U型弹簧片所在一侧连接，另一端连接所述调节螺丝，所述调节螺丝和所述第二U型弹簧片通过螺纹连接，所述调节螺丝旋转可以带动第二U型弹簧片以及第一支架朝着第二磁铁移动；所述调节螺丝调节第一磁铁和第二磁铁之间的距离，使得电容器位于所述第一磁铁和第二磁铁的力程之间。

7.根据权利要求5所述的一种光刻装置，其特征在于，所述调节螺丝包括固定锁死单元，用于固定所述第一支架的位置。

8.根据权利要求5所述的一种光刻装置，其特征在于，所述第一支架内部还包括热膨胀补偿单元，所述热膨胀补偿单元包括底座和凸起，所述底座固定在所述第一支架上，所述凸起连接在所述夹板的一侧；所述非接触式电容传感器装置的温度发生变化时，电容器极板膨胀的长度与所述凸起部分膨胀的长度抵消。

9.一种采用权利要求1所述的光刻装置进行曝光的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：曝光工位进行曝光，分别记录测量工位对应短程台中非接触式电容传感器的振荡频率；

S02：曝光完成之后，将长程台旋转180°后，分别记录曝光工位对应短程台中非接触式电容传感器的振荡频率；

S03：根据对应非接触式电容传感器的振荡频率变化对短程台进行自由度补偿；确保旋转之后短程台相对长程台无位置变化。

10.根据权利要求9所述的一种曝光方法，其特征在于，所述短程台为长方体结构，三个非接触式电容传感器中第二磁铁位于所述短程台的底部，另外三个非接触式电容传感器中第二磁铁分别位于所述短程台侧面垂直的两个面上；位于短程台底部的三个非接触式电容传感器中第一支架固定在所述长程台的上表面，且呈三角分布；

所述步骤S03中根据短程台侧面的三个非接触式电容传感器的差值补偿短程台在x轴上的移动偏差，在y轴上的移动偏差以及在z轴上的转动偏差；根据短程台底部的三个非接触式电容传感器的差值补偿短程台在z轴上的移动偏差以及在x轴上的转动偏差和在y轴上的转动偏差。