[发明专利]一种内存设备质量评估方法、装置及计算机可读存储介质在审
| 申请号: | 202110062976.1 | 申请日: | 2021-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN112700817A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
| 发明(设计)人: | 赖俊生 | 申请(专利权)人: | 皇虎测试科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56;G06Q10/06 |
| 代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 王伟 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 内存 设备 质量 评估 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 | ||
本发明涉及内存质量评估技术领域,公开了一种内存设备质量评估方法,包括:获取所述内存设备的性能参数;将所述性能参数分别与第一内存性能标准参数以及第二内存性能标准参数进行比对,并获取比对结果;根据所述比对结果,对所述内存设备进行等级评价。本发明通过设立综合的分等级评估标准来评估内存设备的质量,能够有效规制现有内存设备等级评价不清晰,导致产品质量差异较大,市场定位不准确的问题,从而在提高内存质量的同时从整体上降低了内存生产的成本。
技术领域
本发明属于内存质量评估技术领域,具体涉及一种内存设备质量评估方法、装置及计算机可读存储介质。
背景技术
在内存行业,对于内存设备的制造一直有着相应的制造标准,以满足市场的需要。目前对于内存设备的制造标准主要包括市场标准和商家的自有设计标准;其中,市场标准是指以内存芯片供应商为主体制定的Jedec行业协会标准,该标准对内存设备的质量要求相对宽松;企业的自有设计标准是指,所有内存生产商都有一套自有的设计标准,例如美国超威半导体公司(AMD,Advanced Micro Devices,Inc.)、英特尔公司(Intel)、美国美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)等公司均有自有的一套内存设计标准,该设计标准通常要比Jedec标准更加严格。
然而,现有的对于内存设备的质量评价标准还相对单一,主要以满足JEDEC行业标准作为市场标准;然而,各个内存设备的生产企业通常又有自己的一套生产设计标准,而这些自有的生产设计标准一般处于保密状态,导致现有的内存设备的设计标准各不相同。因此,从整个市场层面来看,对于那些满足Jedec行业标准,而又不符合企业自设计标准的内存产品,因缺乏正确的等级评价,市场通常将其作为“合格品”推出,这对于需要高品质内存产品的设备和厂商来说非常不利,也不利于市场竞争。
因此,现有技术中尚缺乏完善的内存设备综合评价的方法,导致产品质量定位不准确、市场竞争不公平的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种内存设备质量评估方法、装置及计算机可读存储介质,用以解决现有技术中缺乏完善的内存设备综合评价的方法,导致产品质量定位不准确、市场竞争不公平的技术问题。
为了实现上述目的,本发明采用以下的技术方案:
一种内存设备质量评估方法,所述方法包括:
获取所述内存设备的性能参数;
将所述性能参数分别与第一内存性能标准参数以及第二内存性能标准参数进行比对,并获取比对结果;
根据所述比对结果,对所述内存设备进行等级评价。
进一步的,所述获取所述内存设备的性能参数包括:
在不同环境压力下获取所述内存设备的时序参数、内存存储单元数据保持能力、数据翻转速度、频率特性、功耗水平中的一种或多种参数;
获取所述内存设备的内存颗粒存储单元的出错比率;
其中,所述环境压力包括温度的变化、相关电压Vdd、Vref的波动;所述时序参数包括tCL、tRCD、tRP、tRFC、tWR、tDelay。
进一步的,所述将所述性能参数分别与第一内存性能标准参数以及第二性能标准参数进行比对,并获取比对结果包括:
将所述性能参数与所述第一内存性能标准参数进行比对,并获取第一比对结果;其中,所述第一内存性能标准参数为Jedec协会内存性能标准参数;
将所述性能参数与所述第二内存性能标准参数进行比对,并获取第二比对结果;其中,所述第二内存性能标准参数为自设计内存性能标准参数;
其中,自设计内存性能标准高于Jedec协会内存性能标准。
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