[发明专利]一种集成前置放大电路的深硅探测器模块

权利要求书

1.一种集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，包括至少两片探测器芯片；

各探测器芯片层叠设置，且相邻探测器芯片之间绝缘设置；

探测器芯片设有受光侧，各探测器芯片的受光侧设置在同一弧面，相邻探测器芯片呈角度设置，且相邻探测器芯片的夹角小于设定阈值；

探测器芯片包括灵敏区单元、前置放大处理芯片集成区单元、键合区单元及开孔区单元；

灵敏区单元设置在探测器芯片的受光侧；灵敏区单元包括若干硅微条，各硅微条平行，并沿着探测器芯片受光侧边缘向探测器芯片内侧分布；

每个硅微条包括若干光电单元，每个探测器芯片的所有光电单元形成光电阵列；设置在探测器芯片受光侧的硅微条的光电单元形成受光面，受光面用于接收X摄线；

前置放大处理芯片集成区单元包括ASIC芯片，ASIC芯片设有输入管脚和输出管脚；

键合区单元包括输入引线焊盘、输出引线焊盘以及键合铝丝；输入引线焊盘与各光电单元通过金属栅线连接，并与同层探测器芯片的ASIC芯片输入管脚通过键合铝丝连接；输出引线焊盘与同层探测器芯片的ASIC芯片输出管脚，或者相邻层探测器芯片的ASIC芯片输出管脚通过键合铝丝连接；

开孔区单元，用于避让ASIC芯片输出管脚与相邻层探测器芯片的输出引线焊盘连接的键合铝丝的层间走线。

2.如权利要求1所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，探测器芯片分为主探测器芯片和从探测器芯片；

主探测器芯片的数量为一个；

主探测器芯片的键合区包括输入引线焊盘、同层输出引线焊盘、跨层输出引线焊盘以及键合铝丝；

从探测器芯片的键合区包括输入引线焊盘和键合铝丝；

主探测器芯片的同层输出引线焊盘通过键合铝丝与其所在探测器芯片的ASIC芯片的输出管脚连接；

主探测器芯片的跨层输出引线焊盘与其相邻层探测器芯片的ASIC芯片的输出管脚经贯穿开孔区的键合铝丝连接。

3.如权利要求2所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，主探测器芯片上还设置有主输出焊盘；

主输出焊盘的数量与同层输出引线焊盘及跨层输出引线焊盘的数量和相等；

主输出焊盘设置在主探测器芯片的边缘，且主输出焊盘设置在主探测器芯片的与灵敏区单元光电阵列相对一侧，主输出焊盘与同层输出引线焊盘及跨层输出引线焊盘通过金属栅线一一对应连接。

4.如权利要求2所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，开孔区单元包括走线开孔；

当主探测器芯片位于从探测器芯片的上层时，走线开孔设置在主探测器芯片上，跨层输出引线焊盘设置在走线开孔一侧；

当主探测器芯片位于从探测器芯片的下层时，走线开孔设置在从探测器芯片上，且设置在ASIC芯片的输出管脚一侧，并与主探测器芯片的跨层输出引线焊盘位置对应。

5.如权利要求4所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，开孔区单元，还用于避让相邻层ASIC芯片及其键合铝丝；开孔区单元还包括芯片避让开孔；

上层探测器芯片上设置有芯片避让开孔，芯片避让开孔与相邻层探测器芯片的ASIC芯片及其键合铝丝位置对应，芯片避让开孔尺寸大于对应ASIC芯片及其键合铝丝的尺寸。

6.如权利要求5所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，当上层探测器芯片为主探测器芯片时，将芯片避让开孔设置为第一复合开孔；

该第一复合开孔同时为下层从探测器芯片到主探测器芯片的跨层输出引线焊盘键合铝丝的走线开孔，又为下层ASIC芯片的芯片避让开孔。

7.如权利要求5所述的集成前置放大电路的深硅探测器模块，其特征在于，开孔区单元，还用于避让跨层输出引线焊盘的键合铝丝；开孔区还包括跨层避让开孔；

当探测器芯片至少为三层时，其中主探测器芯片与一从探测器芯片的键合铝丝跨层走线，另一探测器芯片的对应位置处设置有跨层避让开孔，该跨层避让开孔大于对应跨层的键合铝丝尺寸。