[发明专利]声表面波滤波器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110036031.2 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN113162577A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 岸田和人;垣尾省司;水野润 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面波 滤波器 及其 制造 方法 | ||
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：
氧化物晶体基板；
压电晶体基板，键合在所述氧化物晶体基板上；和
叉指式换能器电极，形成在所述压电晶体基板上；
其中，所述压电晶体基板的厚度为0.05至0.5μm，并且使用奇次谐波。
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，使用三次谐波。
3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，
所述叉指式换能器电极的每个电极指的宽度w为0.2至1.5μm，该宽度w与该电极指的间距p之间的比率w/p为0.7至0.9。
4.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，
所述氧化物晶体基板为石英晶体基板，所述压电晶体基板为LiTaO3基板。
5.根据权利要求4所述的声表面波滤波器，其特征在于，
所述氧化物晶体基板是AT切割的0-90°X向传播石英晶体基板，所述压电晶体基板是36-45°Y向切割的X向传播LiTaO3基板。
6.一种声表面波滤波器制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)在氧化物晶体基板上键合厚度为0.05至0.5μm的压电晶体基板；
(b)在所述压电晶体基板上形成叉指式换能器电极；
其中，所述压电晶体基板的厚度为0.05至0.5μm，所述声表面波滤波器使用奇次谐波。
7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器制造方法，其特征在于，所述声表面波滤波器使用三次谐波。
8.根据权利要求6所述的声表面波滤波器制造方法，其特征在于，
所述叉指式换能器电极的每个电极指的宽度w为0.2至1.5μm，该宽度w与该电极指的间距p之间的比率w/p为0.7至0.9。
9.根据权利要求6所述的声表面波滤波器制造方法，其特征在于，
所述氧化物晶体基板为石英晶体基板，所述压电晶体基板是LiTaO3基板。
10.根据权利要求9所述的声表面波滤波器制造方法，其特征在于，
所述氧化物晶体基板是AT切割的0-90°X向传播石英晶体基板，所述压电晶体基板是36-45°Y向切割的X向传播LiTaO3基板。
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