[发明专利]一种装载miR-150介孔硅纳米载体及其制备方法在审
| 申请号: | 202110035852.4 | 申请日: | 2021-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN112716970A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
| 发明(设计)人: | 秦环龙;张扬;何继德;尹芳;陈潜;屈潇;朱烨飞 | 申请(专利权)人: | 上海市第十人民医院 |
| 主分类号: | A61K31/7088 | 分类号: | A61K31/7088;A61K47/69;A61P35/00;C01B33/021;C01B33/12 |
| 代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 徐红银;赵楠 |
| 地址: | 200040 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 装载 mir 150 介孔硅 纳米 载体 及其 制备 方法 | ||
1.一种装载miR-150介孔硅纳米载体的制备方法,其特征在于,包括:
在碱性催化下,正硅酸四乙酯水解生成硅酸;所述硅酸发生聚合反应生成含有Si-O-Si键的硅酸盐聚合物,其中,当所述硅酸的浓度增大到某一值达到饱和时,发生聚集形成二氧化硅核,使硅酸盐聚合物和硅酸分子在所述氧化硅核的表面反应聚集,生成固体二氧化硅球sSiO2;
以反应生成的固体二氧化硅球sSiO2作为硬模板,在阳离子表面活性剂的作用下,正硅酸四乙酯再度水解,生成硅酸盐碎片并沉积在固体二氧化硅球sSiO2表面,形成包覆掺杂阳离子表面活性剂的二氧化硅层;再选择性的刻蚀掉内部固体二氧化硅球sSiO2;除去阳离子表面活性剂,得到具有均一孔洞的介孔硅纳米颗粒,即所述介孔硅纳米载体。
2.根据权利要求1所述的装载miR-150介孔硅纳米载体的制备方法,其特征在于,所述阳离子表面活性剂选用十六烷基三甲基氯化铵。
3.根据权利要求1所述的装载miR-150介孔硅纳米载体的制备方法,其特征在于,再选择性的刻蚀掉内部sSiO2;除去阳离子表面活性剂,得到具有均一孔洞的介孔硅纳米颗粒;其中,采用Na2CO3溶液选择性的刻蚀掉内部sSiO2;通过酸醇溶液萃取除去阳离子表面活性剂。
4.一种装载miR-150介孔硅纳米载体,其特征在于,由权利要求1-3任一项所述的介孔硅纳米载体的制备方法得到。
5.根据权利要求4所述的装载miR-150介孔硅纳米载体,其特征在于,所述介孔硅纳米载体的介孔的尺寸为200nm-289.1nm。
6.一种纳米复合物,其特征在于,以权利要求1-5任一项所述的装载miR-150介孔硅纳米载体作为载体静电吸附miR-150,miR-150静电吸附于介孔硅纳米颗粒内部,组装成所述纳米复合物。
7.根据权利要求6所述的纳米复合物,其特征在于,所述纳米复合物的浓度5x10-3mg/L-1x10-2mg/L。
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