[发明专利]一种光电转换装置的形成方法有效
| 申请号： | 202110022527.4 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112885931B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 尤小月 | 申请（专利权）人： | 广东顺德侨安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 王庞 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市顺德区容桂容*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 转换 装置 形成 方法 | ||
1.一种光电转换装置的形成方法，其特征在于，包括：
提供P-型半导体衬底；
在所述P-型半导体衬底形成一沟槽，在所述沟槽底部的P-型半导体衬底进行N型掺杂，形成悬浮掺杂区，所述悬浮掺杂区包括N+型子悬浮掺杂区和N-型子悬浮掺杂区，所述N+型子悬浮掺杂区包围所述N-型子悬浮掺杂区；
在所述沟槽的底部和侧面形成复位栅电极绝缘层，在所述复位栅电极绝缘层上形成复位栅电极，所述复位栅电极绝缘层与所述复位栅电极组成复位栅电极结构；
在所述复位栅电极结构两侧的P-型半导体衬底中分别进行N型掺杂，形成N型电荷保持区和N+型复位漏极区，在所述N型电荷保持区相对于所述复位栅电极结构的另一侧进行N型掺杂，形成N-型光电二极管掺杂区；
在所述N-型光电二极管掺杂区和所述P-型半导体衬底的上表面之间进行P型掺杂，形成P+型空穴累积区；
在所述N型电荷保持区和所述P-型半导体衬底的上表面之间进行P型掺杂，形成P型电荷阻挡区；
在所述P型电荷阻挡区上方形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上方形成传输栅电极、倍增栅电极、读取栅电极；
其中，所述复位栅电极结构的深度大于所述N+型复位漏极区的深度。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述N+型子悬浮掺杂区和所述N-型子悬浮掺杂区为磷杂质掺杂，所述N+型子悬浮掺杂区的杂质浓度为5.0×1017cm-3，所述N-型子悬浮掺杂区的杂质浓度为5.0×1016cm-3。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述N+型复位漏极区电连接电源线。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述N-型光电二极管掺杂区、所述N型电荷保持区、所述悬浮掺杂区、所述N+型复位漏极区彼此相互分立。
5.根据权利要求1-4任一项所述的形成方法，其特征在于，所述复位栅电极绝缘层包围所述复位栅电极的底部和侧壁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东顺德侨安电子有限公司，未经广东顺德侨安电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110022527.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件的制造方法
- 下一篇：数据上报方法、装置、存储介质及电子设备
