[发明专利]一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法

说明书

本发明属于集成电路技术领域，公开了一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法，包括：采用单个高能粒子垂直入射设置有多个分页的静态随机存储器电路的方式进行辐照实验；在所述辐照实验中，获取选通的所述多个分页的静态随机存储器电路单粒子翻转阈值；基于所述静态随机存储器电路单粒子翻转阈值以及所述多个分页的串联器件间距确定高能粒子离化电荷粒径。本发明提供的测量高能粒子离化电荷粒径的方法能够实现高能粒子离化电荷粒径的可靠评估。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种测量高能粒子离化电荷粒径。

背景技术

多位翻转是指单个粒子入射器件造成对应物理地址上多个存储单元发生翻转的情况。随着半导体制造工艺的发展，器件尺寸不断减小，临界电荷不断降低，使得高能粒子垂直入射器件引起的多位翻转比重逐渐增多。为了抑制高能粒子垂直入射电路引起的多位翻转，需要对纠错编码等电路进行特殊的版图拓扑设计，为此需要获得高能粒子入射产生电离电荷的影响范围；但现有技术中缺少可靠的测量方案。

发明内容

本发明提供一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法，解决现有技术中无法可靠测量高能粒子离化电荷粒径的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法，包括：

采用单个高能粒子垂直入射设置有多个分页的静态随机存储器电路的方式进行辐照实验；

在所述辐照实验中，获取选通的所述多个分页的静态随机存储器电路单粒子翻转阈值；

基于所述静态随机存储器电路单粒子翻转阈值以及所述多个分页的串联器件间距确定高能粒子离化电荷粒径。

进一步地，所述静态随机存储器电路包括：四个分页；

所述四个分页内分别对应设置有6管静态存储单元电路、第一10管静态存储单元电路、第二10管静态存储单元电路以及第三10管静态存储单元电路；

其中，所述第一10管静态存储单元电路的串联器件间距d₁、第二10管静态存储单元电路的串联器件间距d₂以及第三10管静态存储单元电路的串联器件间距d₃，且d₁d₂d₃。

进一步地，所述获取选通的所述多个分页的静态随机存储器电路单粒子翻转阈值包括：

分别选通所述四个分页，并获取所述6管静态存储单元电路、所述第一10管静态存储单元电路、所述第二10管静态存储单元电路以及所述第三10管静态存储单元电路单粒子效应阈值LET₀、LET₁、LET₂以及LET₃。

进一步地，所述基于所述静态随机存储器电路单粒子翻转阈值以及所述多个分页的串联器件间距确定高能粒子离化电荷粒径包括：

当LET₀≈LET₁≈LET₂≈LET₃时，则高能粒子离化电荷粒径D满足D≥d₃；

当LET₀≈LET₁≈LET₂LET₃时，则高能粒子离化电荷粒径D满足d₂≤Dd₃；

当LET₀≈LET₁LET₂≈LET₃，则高能粒子离化电荷粒径D满足d₁≤Dd₂；