[发明专利]一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法

说明书

一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过Saber仿真软件的Model Architect工具中Scanned Data Utility功能、Optimizer Utility自动拟合功能建立初步模型。通过选取Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle Anchor Objects锚点工具对所建模型进行图形化修正，并通过理论分析和实测数据指导并检验所建模型的准确性。本发明建立的模型经过理论验证和与实际测试数据的对比，显示出比较好的准确性和严谨性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。

技术领域

本发明属于新型器件的建模与仿真领域，具体涉及一种基于Saber软件的SiCMOSFET SPICE模型图形化修正方法。

背景技术

近几年，以SiC为代表的宽禁带半导体的技术成熟度较高，在一些应用领域开始逐步取代硅基电力电子器件。相较于传统的Si MOSFET，SiC MOSFET具有更低的通态损耗、更小的开关损耗、更高的耐压耐流耐高温特性。在实际的工程应用中，为了更准确地评估SiCMOSFET的性能和系统特性，需要搭建器件的快速仿真模型，包括静态特性模型与动态响应模型。因此，准确的SiC MOSFET SPICE模型在产品仿真、研发和检测等领域会发挥重要作用，但目前关于SiC MOSFET SPICE模型的建模研究并不充分。

发明内容

本发明的目的是为了弥补目前关于SiC MOSFET SPICE模型的建模研究不充分的问题，提供一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法，所述方法通过结合SiC MOSFET厂家提供的产品Datasheet，利用Saber软件中Model Architect工具构建SiCMOSFET SPICE模型，并通过Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle AnchorObjects锚点工具进行图形化修正处理，对模型调整方案是否符合客观规律进行理论分析，并与实测曲线进行对比，验证了模型的准确性。本发明使含有SiC MOSFET的仿真电路更加贴近实际效果，对SiC MOSFET产品的生产和测试有着重大的意义。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：

一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法，所述方法步骤为：

步骤一：建立模型：结合SiC MOSFET厂家提供的产品Datasheet，通过自动拟合来得到最初的SiC MOSFET SPICE模型；

步骤二：图形化修正SiC MOSFET SPICE模型：

(1)选取Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle Anchor Objects锚点工具，显示出锚点信息；

(2)结合现有理论分析参数的变化规律，调节上述锚点的位置和关联直线的斜率；

步骤三：SiC MOSFET SPICE模型图形化修正结果的验证：结合SiC MOSFET厂家提供的Datasheet实测参数图线，通过调节锚点的位置和关联直线的斜率，使仿真模型的特性曲线与实测参数曲线在需要的工况下逐渐吻合，反复修正后得出准确的SiC MOSFET SPICE模型。

进一步的，步骤二中，在图形化修正过程中，各参数的变化要在合乎理论分析的范围内。

本发明相对于现有技术的有益效果为：

1、本发明的修正方法直观便捷、易于操作，经过图形化修正的模型可以更好地与实际测试曲线相贴合。

2、本发明结合实际理论、客观规律和实际测试结果，对所建SiC MOSFET SPICE模型进行了分析与验证，提高了仿真模型的严谨性和准确性。