[发明专利]利用电子束阵列的增材制造在审
| 申请号： | 202080097722.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN115190839A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·詹姆斯·霍甘森;安德留斯·约扎斯·罗利奈蒂斯;埃里克·杨 | 申请（专利权）人： | 戴弗根特技术有限公司 |
| 主分类号： | B29C64/20 | 分类号： | B29C64/20;B33Y10/00;B23K26/20;B33Y30/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 电子束 阵列 制造 | ||
1.一种用于粉末床熔融的装置，包括：
支撑原材料层的结构；以及
多个电子束源，其各自产生能量束以熔融所述原材料层的一个或多个区域。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个电子束源包括一个或多个阵列。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个电子束源是规模可调的以适应不同尺寸的结构。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个电子束源被二维(2D)地布置在所述结构对面的公共距离处。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个电子束源分布遍及所述结构，以同时熔融所述原材料层的多个区域。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括多个偏转器，所述多个偏转器引导相应的电子束。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述多个偏转器的子集被配置为引导来自所述多个电子束源的子集的电子束，以熔融所述原材料层的一个或多个公共区域。
8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述多个偏转器被配置为引导所述电子束以熔融原材料层的多个区域，以用于形成分开的零件或单个零件。
9.根据权利要求6所述的装置，其中，所述电子束被配置为在一个或多个熔融区域处重叠以防止出现间隙。
10.根据权利要求6所述的装置，其中，所述多个偏转器包括磁场，并且所述多个偏转器被配置为限制所述磁场的相互作用。
11.根据权利要求6所述的装置，其中，所述多个偏转器被配置为在一个或多个电子束锥内引导所述电子束以将一个或多个区域熔融成多边形形状，每个多边形形状完全包含在每个电子束锥的横截面内。
12.一种用于粉末床熔融的装置，包括：
支撑原材料层的结构；
多个电子束源，其各自产生电子束；以及
多个偏转器，其独立地引导所述电子束以同时熔融所述原材料层的多个区域。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述多个电子束源包括一个或多个阵列。
14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述多个电子束源是规模可调的以适应不同尺寸的结构。
15.根据权利要求12所述的装置，其中，所述多个电子束源被二维(2D)地布置在所述结构对面的公共距离处。
16.根据权利要求12所述的装置，其中，所述多个偏转器的子集被配置为引导来自所述多个电子束源的子集的电子束，以熔融所述原材料层的一个或多个公共区域。
17.根据权利要求12所述的装置，其中，所述多个偏转器被配置为引导所述电子束以熔融原材料层的多个区域，以用于形成分开的零件或单个零件。
18.根据权利要求12所述的装置，其中，所述电子束被配置为在一个或多个熔融区域处重叠以防止出现间隙。
19.根据权利要求12所述的装置，其中，所述多个偏转器包括磁场，并且所述多个偏转器被配置为限制所述磁场的相互作用。
20.根据权利要求12所述的装置，其中，所述多个偏转器被配置为在一个或多个电子束锥内引导所述电子束以将一个或多个区域熔融成多边形形状，每个多边形形状完全包含在每个电子束锥的横截面内。
21.一种用于粉末床熔融的装置，包括：
支撑原材料层的结构；
电子束源的阵列，其各自产生电子束；以及
偏转器的阵列，其引导所述电子束以熔融所述原材料层的一个或多个区域；
其中，所述电子束源的阵列是规模可调的以适应不同尺寸的结构。
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