[发明专利]谐振器以及具备该谐振器的谐振装置在审

专利信息
申请号: 202080082448.6 申请日: 2020-07-20
公开(公告)号: CN114762250A 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 竹山佳介;西村俊雄 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/24 分类号: H03H9/24
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王玮
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 谐振器 以及 具备 谐振 装置
【说明书】:

本发明涉及谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。谐振器(10)具备:振动部(120),具有以彼此相反的相位振动的两个部分(121A、121B);保持部(140),形成为将振动部(120)的至少一部分包围;以及保持单元(110),对两个部分(121A、121B)的边界进行支承,并且将振动部(120)与保持部(140)连接,在振动部(120)的表面中的、保持单元(110)的与振动部(120)连接的连接部分(111B、112B)和沿着两个部分(121A、121B)的边界与连接部分(111B、112B)对置的端部之间的区域设置有频率调整膜(E3)。

技术领域

本发明涉及谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。

背景技术

谐振装置在移动通信终端、通信基站、家电等各种电子设备中,用于定时设备、传感器、振荡器等用途。谐振装置例如是MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微电子机械系统)的一种。这样的谐振装置例如具备下盖、在与下盖之间形成内部空间的上盖、以及具有可振动地被保持在该内部空间的振动部的谐振器。在振动部例如设置有对频率的取决于温度的变化进行修正的温度特性修正层、通过除去一部分而使频率变化的频率调整膜等。

专利文献1中,公开了在位移大的区域形成有频率调整膜,在位移小的区域形成有保护膜的谐振器。

在专利文献2中公开了如下谐振器:在位移小的区域形成有由频率温度系数为正的第一温度特性调整膜和频率温度系数为负的第二温度特性调整膜构成的两个膜,在位移大的区域形成有频率调整膜。

专利文献1:日本专利第6241684号公报

专利文献2:国际公开第2019/058632号

然而,在专利文献1及2所记载的谐振器中实施了利用离子铣削的频率调整工序之后,存在每单位时间的频率变化量比不具备频率调整膜的谐振器小的情况。

发明内容

本发明是鉴于这样的状况而完成的,本发明的目的在于提供一种提高了生产率的谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。

本发明的一方式所涉及的谐振器具备:振动部,具有以彼此相反的相位振动的两个部分;保持部,形成为将振动部的至少一部分包围;以及保持单元,对两个部分的边界进行支承,并且将振动部与保持部连接,在振动部的表面中的、保持单元的与振动部连接的连接部分和沿着两个部分的边界与连接部分对置的端部之间的区域设置有频率调整膜。

本发明的另一方式所涉及的谐振器具备:振动部,具有以彼此相反的相位振动的两个部分;和频率调整膜,设置于振动部的表面中的比振动部的两个部分各自的中心部靠近两个部分的边界的区域。

本发明的另一方式所涉及的谐振器具备:振动部,具有以彼此相反的相位振动的两个部分;保持部,形成为将振动部的至少一部分包围;以及保持单元,将振动部与保持部连接,振动部具有:压电膜;下部电极,设置于压电膜的一侧;两个上部电极,设置于压电膜的另一侧,且在振动部的两个部分的每一个中隔着压电膜与下部电极对置;保护膜,覆盖两个上部电极;以及频率调整膜,隔着压电膜及保护膜与下部电极对置,在俯视观察振动部的表面时,频率调整膜设置于比两个上部电极各自的中心部靠近两个上部电极的相互对置的端部的区域。

根据本发明,能够提供一种提高了生产率的谐振器以及具备该谐振器的谐振装置。

附图说明

图1是简要地表示第一实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。

图2是沿着图1所示的谐振装置的II-II线的剖视图。

图3是简要地表示第一实施方式所涉及的谐振器的构造的俯视图。

图4是简要地表示第一实施方式所涉及的振动部的构造的俯视图。

图5是沿着图4所示的振动部的V-V线的剖视图。

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