[发明专利]接合两个基板的方法

权利要求书

1.一种接合第一基板(100)和第二基板(200)的方法，所述方法包括以下步骤：使所述第一基板和所述第二基板接触，并对所述第一基板和所述第二基板中的至少一个基板的外围部分进行加热，所述加热是在使所述基板接触之前开始的并且至少持续到使所述基板在所述部分中接触，所述方法的特征在于，所述加热是借助于红外灯(2)实现的，所述红外灯(2)被配置为发射具有与所述基板的边缘相对应的外边界的辐射。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一基板和所述第二基板呈圆形形状，并且所述红外灯呈圆弧形状，所述红外灯的直径小于或等于所述基板的直径。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一基板和所述第二基板由载体(3)保持，所述载体具有围绕所述基板的所述边缘延伸的外围区域(30)，所述红外灯(2)是按照对所述第一基板和/或所述第二基板的外围部分进行加热而不对所述载体的所述外围区域(30)进行加热的方式布置的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述加热最迟在所述基板之间的接合波的传播结束时结束。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述红外灯(2)在适合于使存在于所述基板(100、200)之间的水吸收辐射的波长范围内发射所述辐射。

6.一种将半导体层从作为供体基板(100)的第一半导体基板转移至作为受体基板(200)的第二基板的方法，所述方法包括以下步骤：

-在所述供体基板(100)中形成弱化区(101)，以界定待转移的半导体层(1)，

-提供所述受体基板(200)，所述供体基板和所述受体基板中的至少一个基板覆盖有电绝缘层(102)，

-使用根据权利要求1至5中任一项所述的方法来接合所述第一基板(100)和所述受体基板(200)，所述电绝缘层(102)位于接合界面处，

-沿所述弱化区(101)分离所述供体基板(100)，以将所述半导体层(1)转移至所述受体基板(200)。

7.一种接合第一基板和第二基板的装置，所述装置包括：载体(3)，所述载体被配置为当所述第一基板和所述第二基板接触时保持所述第一基板和所述第二基板，所述载体具有围绕所述基板的边缘延伸的外围区域(30)；以及灯，所述灯按照面对所述第一基板和所述第二基板中的至少一个基板的外围部分的方式布置，所述装置的特征在于，所述灯是红外灯(2)，所述红外灯被配置为发射辐射，所述辐射具有与所述基板的所述边缘相对应的外边界，以不使所述载体(3)的所述外围区域(30)暴露于所述辐射。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述红外灯被设计为发射快中波。

9.根据权利要求7或8所述的装置，其中，所述红外灯包括灯丝，所述灯丝被设计为在所述灯的工作期间达到大约1600℃的温度。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的装置，其中，所述红外灯具有介于1.5μm至2μm之间的波长的功率峰值。