[发明专利]时空积和熔加以及相关系统、方法和装置

说明书

描述了操作存储器系统的系统、设备和方法。还描述了存储器中处理使能存储器装置，以及在所述存储器中处理使能存储器装置内执行积和熔加操作的方法。存储在一或多个存储器阵列的一或多个部分处的位的位位置可以通过激活相同或不同的存取线经由数据线来进行存取。可以临时形成并测量操作性地耦接到数据线的读出电路以确定数据线的所存取的位位置的状态(例如，为逻辑“1”的位的数量的计数)，并且状态信息可以用于确定计算结果。

优先权声明

本申请要求于2019年9月5日提交的关于“时空积和熔加以及相关系统、方法和装置(Spatiotemporal Fused-Multiply-Add,and Related Systems,Methods andDevices)”的美国临时专利申请序列号62/896,242以及于2020年5月29日提交的关于“时空积和熔加以及相关系统、方法和装置(Spatiotemporal Fused-Multiply-Add,and RelatedSystems,Methods and Devices)”的待决的美国专利申请序列号16/888,345的申请日的权益。

技术领域

本公开的实施例涉及存储器中处理(processing-in-memory)，并且更具体地，涉及在存储器阵列上的存储器中处理点积操作。还更具体地，一些实施例涉及用于在存储器中处理使能存储器装置内执行点积操作的方法，以及相关的存储器装置、存储器系统和电子系统。还更具体地，一些实施例涉及在存储器中处理使能存储器装置内执行积和熔加(fused-multiply-add)操作的方法，以及相关的存储器装置、存储器系统和电子系统。

背景技术

存储器装置通常作为计算机或其它电子系统中的内部、基于半导体的集成电路提供。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器可以在电源循环之后检索存储的信息，除其它外，可以包含但不限于包含NAND或NOR闪速存储器的闪速存储器、3D XPoint存储器和ReRAM。易失性存储器可能需要电力来维护其数据(例如，主机数据、错误数据等)并且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、内容可寻址存储器(CAM)和晶闸管随机存取存储器(TRAM)等。

电子系统通常包含多个处理资源(例如，一或多个处理器)，所述多个处理资源可以检索并执行指令，并将执行指令的结果存储到合适的位置。处理器可以包含多个功能单元，如算术逻辑单元(ALU)电路系统、浮点单元(FPU)电路系统和组合逻辑块，例如，所述多个功能单元可以用于通过对数据(例如，一或多个操作数)执行操作来执行指令。如本文所使用的，操作可以包含例如布尔操作(Boolean operation)，如AND、OR、NOT、NOT、NAND、NOR和XOR，和/或其它操作(例如，反转、移位、算术、统计等许多其它可能的操作)。例如，功能单元电路系统可以用于通过多个操作对操作数执行如加、减、乘和除等算术操作。

电子系统中的许多组件可能涉及向功能单元电路系统提供指令以供执行。例如，所述指令可以通过如控制器和/或主机处理器等处理资源来执行。数据(例如，可以在其上执行指令的数据)可以存储在可由功能单元电路系统存取的存储器阵列中。指令和/或数据可以在功能单元电路系统开始对数据执行指令之前从存储器阵列中检索和定序和/或缓冲。

附图说明

为了容易地鉴定对任何特定元件或动作的讨论，附图标记中的一或多个最高有效数位是指其中首次引入所述元件的附图编号。

图1示出了根据本公开的多个实施例的包含存储器装置的系统的框图。

图2示出了根据一或多个实施例的系统200的功能框图。

图3示出了根据一或多个实施例的时空FMA的图。

图4示出了根据一或多个实施例的代表电阻存储器的电路的电路图。