[发明专利]多色LED像素单元和微型LED显示面板在审
| 申请号: | 202080063257.5 | 申请日: | 2020-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN114730787A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
| 发明(设计)人: | Q·李;Q·徐 | 申请(专利权)人: | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人: | 封新琴 |
| 地址: | 200120 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多色 led 像素 单元 微型 显示 面板 | ||
1.一种多色发光像素单元,其包括:
第一类型的发光晶体管,所述第一类型的发光晶体管形成在基板上并且按从下至上的顺序包括第一金属层的第一区段和第一类型的发光层的第一区段;以及
第二类型的发光晶体管,所述第二类型的发光晶体管形成在所述基板上并且包括第一电连接器以及按从下至上的顺序的所述第一金属层的第二区段、所述第一类型的发光层的第二区段、第二金属层的第一区段、第二类型的发光层的第一区段,所述第一电连接器连接所述第一金属层的所述第二区段和所述第二金属层的所述第一区段。
2.根据权利要求1所述的多色发光像素单元,其进一步包括:
顶部电极层,所述顶部电极层形成在所述第一类型的发光晶体管和所述第二类型的发光晶体管上方。
3.根据权利要求2所述的多色发光像素单元,其进一步包括:
顶部隔离层,所述顶部隔离层形成在所述顶部电极层与所述第一类型的发光晶体管和所述第二类型的发光晶体管之间,
其中所述顶部隔离层包括开口,所述开口暴露所述第一类型的发光层的所述第一区段的一部分和所述第二类型的发光层的所述第一区段的一部分,并且
所述顶部电极层经由所述顶部隔离层中的所述开口接触所述第一类型的发光层的所述第一区段和所述第二类型的发光层的所述第一区段。
4.根据权利要求1所述的多色发光像素单元,其中所述第一类型的发光晶体管的发光面积的大小与所述第二类型的发光晶体管的发光面积的大小不同。
5.根据权利要求1所述的多色发光像素单元,其中所述第一类型的发光晶体管是红色发光晶体管,并且
所述第一类型的发光晶体管的发光面积的大小大于所述第二类型的发光晶体管的发光面积的大小。
6.根据权利要求1所述的多色发光像素单元,其进一步包括:
在所述第一类型的发光层和所述第二类型的发光层中的至少一个中的微间隙结构。
7.根据权利要求1所述的多色发光像素单元,其进一步包括:
在所述第一类型的发光层和所述第二类型的发光层两者中的微间隙结构。
8.根据权利要求7所述的多色发光像素单元,其中,在所述第二类型的发光晶体管中,在所述第二类型的发光层的所述第一区段中的所述微间隙结构相对于在所述第一类型的发光层的所述第二区段中的所述微间隙结构是错开的。
9.根据权利要求1所述的多色发光像素单元,其进一步包括:
第三类型的发光晶体管,所述第三类型的发光晶体管形成在所述基板上并且包括第二电连接器以及按从下至上的顺序的所述第一金属层的第三区段、所述第一类型的发光层的第三区段、所述第二金属层的第二区段、所述第二类型的发光层的第二区段、第三金属层的第一区段和第三类型的发光层的第一区段,所述第二电连接器连接所述第一金属层的所述第三区段、所述第二金属层的所述第二区段和所述第三金属层的所述第一区段。
10.根据权利要求9所述的多色发光像素单元,其进一步包括:
顶部电极层,所述顶部电极层形成在所述第一类型的发光晶体管、所述第二类型的发光晶体管和所述第三类型的发光晶体管上方。
11.根据权利要求10所述的多色发光像素单元,其进一步包括:
顶部隔离层,所述顶部隔离层形成在所述顶部电极层与所述第一类型的发光晶体管、所述第二类型的发光晶体管和所述第三类型的发光晶体管之间,
其中所述顶部隔离层包括开口,所述开口暴露所述第一类型的发光层的所述第一区段的一部分、所述第二类型的发光层的所述第一区段的一部分和所述第三类型的发光层的所述第一区段的一部分,并且
所述顶部电极层经由所述顶部隔离层中的所述开口接触所述第一类型的发光层的所述第一区段、所述第二类型的发光层的所述第一区段和所述第三类型的发光层的所述第一区段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





