[发明专利]压电元件

说明书

在压电元件(100)中，第二电极层(130)位于单晶压电体层(110)的第二面(112)侧。在第二电极层(130)形成有与贯通孔(113)面对的孔部(131)。第二电极层(130)由Pt、Ti、Al、Cu、Au、Ag、Mg或者包含这些金属中的至少一种作为主成分的合金构成。第三电极层(140)配置在第二电极层(130)的与单晶压电体层(110)侧相反的一侧。第三电极层(140)设置为至少具有在从与第二面(112)垂直的方向观察时与孔部(131)的缘部(132)隔开间隔地位于比孔部(131)的缘部(132)靠外侧的位置的部分。第三电极层(140)由Ni或者包含Ni作为主成分的合金构成。

技术领域

本发明涉及压电元件。

背景技术

作为公开了压电元件的结构的文献，具有日本特开2008-244725号公报(专利文献1)。专利文献1所记载的压电元件是包括单个或多个压电薄膜谐振器的压电薄膜器件。压电薄膜器件具备压电体薄膜、电极以及支承体。电极分别形成在压电体薄膜的两个主面，在对置区域隔着压电体薄膜而对置。下表面电极形成于压电体薄膜的下表面，上表面电极形成于压电体薄膜的上表面。支承体支承所述压电体薄膜。在压电体薄膜形成有贯穿压电体薄膜的下表面与上表面之间的导通孔。在压电元件的制造方法中，进行压电体薄膜的蚀刻，形成贯穿压电体薄膜的上表面与下表面之间的导通孔而使下表面电极露出。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-244725号公报

发明内容

发明要解决的课题

在现有的压电元件中，在从单晶压电体层的第一面侧到第二面侧通过蚀刻而形成贯通孔时，有时蚀刻未停止，在位于第二面侧的电极层也与上述贯通孔连续地形成贯通孔。此外，如果在电极层形成贯通孔之后蚀刻也没有停止，则有时与电极层的贯通孔连续地在位于该电极层的与单晶压电体层侧相反的一侧的构件也通过蚀刻形成不期望的孔。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种在单晶压电体层的贯通孔形成时能够抑制在位于电极层的与单晶压电体层侧相反的一侧的构件形成孔的压电元件。

用于解决课题的手段

本发明的第一方面的压电元件具备单晶压电体层、第一电极层、第二电极层以及第三电极层。单晶压电体层具有第一面、第二面以及贯通孔。第二面位于第一面的相反侧。贯通孔从第一面贯穿至第二面。第一电极层设置在单晶压电体层的第一面侧。第二电极层位于单晶压电体层的第二面侧。第二电极层的至少一部分隔着单晶压电体层而与第一电极层对置。在第二电极层形成有与贯通孔面对的孔部。第二电极层由Pt、Ti、Al、Cu、Au、Ag、Mg或者包含这些金属中的至少一种作为主成分的合金构成。第三电极层配置在第二电极层的与单晶压电体层侧相反的一侧。第三电极层设置为至少具有在从与第二面垂直的方向观察时与孔部的缘部隔开间隔地位于比孔部的缘部靠外侧的位置的部分。第三电极层由Ni或者包含Ni作为主成分的合金构成。

本发明的第二方面的压电元件具备单晶压电体层、第一电极层、第二电极层以及第三电极层。单晶压电体层具有第一面、第二面以及贯通孔。第二面位于第一面的相反侧。贯通孔从第一面贯穿至第二面。第一电极层设置在单晶压电体层的第一面侧。第二电极层位于单晶压电体层的第二面侧。第二电极层的至少一部分隔着单晶压电体层而与第一电极层对置。在第二电极层形成有与贯通孔面对的孔部。第三电极层配置在第二电极层的与单晶压电体层侧相反的一侧。第三电极层设置为至少具有在从与第二面垂直的方向观察时与孔部的缘部隔开间隔地位于比孔部的缘部靠外侧的位置的部分。构成第三电极层的材料与构成第二电极层的材料相比，用CF₄气体进行蚀刻的蚀刻速率小。

发明效果

根据本发明，在单晶压电体层的贯通孔形成时，能够抑制在位于电极层的与单晶压电体层侧相反的一侧的构件形成孔。

附图说明