[发明专利]压电元件

权利要求书

1.一种压电元件，具备：

单晶压电体层，其具有第一面、位于该第一面的相反侧的第二面以及从所述第一面贯穿到所述第二面的贯通孔；

第一电极层，其设置于所述单晶压电体层的第一面侧；

第二电极层，其位于所述单晶压电体层的第二面侧，至少一部分隔着所述单晶压电体层而与所述第一电极层对置，并且形成有与所述贯通孔面对的孔部；以及

第三电极层，其配置在所述第二电极层的与单晶压电体层侧相反的一侧，设置为至少具有在从与所述第二面垂直的方向观察时与所述孔部的缘部隔开间隔地位于比所述孔部的所述缘部靠外侧的位置的部分，

所述第二电极层由Pt、Ti、Al、Cu、Au、Ag、Mg或者包含这些金属中的至少一种作为主成分的合金构成，

所述第三电极层由Ni或者包含Ni作为主成分的合金构成。

2.根据权利要求1所述的压电元件，其中，

构成所述第三电极层的材料与构成所述第二电极层的材料相比，用CF₄气体进行蚀刻的蚀刻速率小。

3.一种压电元件，具备：

单晶压电体层，其具有第一面、位于该第一面的相反侧的第二面以及从所述第一面贯穿到所述第二面的贯通孔；

第一电极层，其设置于所述单晶压电体层的第一面侧；

第二电极层，其位于所述单晶压电体层的第二面侧，至少一部分隔着所述单晶压电体层而与所述第一电极层对置，并且形成有与所述贯通孔面对的孔部；以及

第三电极层，其配置在所述第二电极层的与单晶压电体层侧相反的一侧，设置为至少具有在从与所述第二面垂直的方向观察时与所述孔部的缘部隔开间隔地位于比所述孔部的所述缘部靠外侧的位置的部分，

构成所述第三电极层的材料与构成所述第二电极层的材料相比，用CF₄气体进行蚀刻的蚀刻速率小。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的压电元件，其中，

所述第三电极层设置为具有在从与所述第二面垂直的方向观察时与所述孔部的所述缘部隔开间隔地包围所述孔部的所述缘部的外周缘。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的压电元件，其中，

构成所述第三电极层的材料与构成所述单晶压电体层的材料相比，用CF₄气体进行蚀刻的蚀刻速率小。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的压电元件，其中，

所述孔部在与所述第二面垂直的方向上贯穿所述第二电极层，

从构成所述第二电极层的所述孔部的内侧面上到所述第三电极层中的与所述孔部面对的部分连续地设置有连接电极。

7.根据权利要求6所述的压电元件，其中，

所述间隔的最小尺寸大于所述第二电极层的平均厚度的尺寸。

8.根据权利要求6或7所述的压电元件，其中，

所述第二电极层的平均厚度比所述第三电极层的平均厚度薄。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的压电元件，其中，

在所述第三电极层设置有与所述第二电极层的所述孔部面对的凹部。

10.根据权利要求9所述的压电元件，其中，

所述连接电极遍及所述凹部的内面上的整体设置。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的压电元件，其中，

所述单晶压电体层包含锂化合物。

12.根据权利要求11所述的压电元件，其中，

所述锂化合物为铌酸锂LiNbO₃或者钽酸锂LiTaO₃。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的压电元件，其中，

所述第二电极层包含Pt作为主成分。