[发明专利]使用雷射激光剥离将LED晶粒从基板剥离至接收板件的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管LED晶粒的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板；

形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构于该基板上；

提供一接收板件，该接收板件具有一弹性体聚合物层；

安装该基板与该接收板件，以与由该弹性体聚合物层施加的一粘着力呈物理接触；及

执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板而到达位于与该基板连接的一接口的该半导体层，以剥离所述多个半导体结构至该弹性体聚合物层之上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包含：选择一激光波长及功率以使该激光光束可传输通过该基板并被位于与该基板连接的该接口处的该半导体层吸收。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该激光剥离工艺期间，该激光光束依序一次聚焦于所述多个半导体结构的至少一个上，以移除该基板上的所有半导体结构或只有选择的半导体结构。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该基板包含一蓝宝石晶圆，而该接收板件包含大于该晶圆的一板件。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，位于该接收板件上的该弹性体聚合物层包含一压敏可固化硅胶。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个半导体结构包含多个GaN层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用一准分子激光来进行该激光剥离工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个半导体结构包含垂直发光二极管VLED晶粒或覆晶发光二极管晶粒FCLED。

9.一种发光二极管LED晶粒的制造方法，其特征在于，包含：

提供包含蓝宝石的一基板；

形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构于该基板上，每个半导体结构包含一外延堆叠，该外延堆叠包含一GaN层；

提供一接收板件，该接收板件具有一弹性体聚合物层，该弹性体聚合物层包含一压敏可固化硅胶；

安装该基板与该接收板件，以与由该弹性体聚合物层施加的一粘着力呈物理接触；及

执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板到达位于该基板上的一蓝宝石/GaN接口的该半导体层，以剥离所述多个半导体结构至该弹性体聚合物层之上，并在该激光剥离工艺以后，使该弹性体聚合物层保持所述多个半导体结构在该接收板件上的一定位置。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该弹性体聚合物层包含一旋涂式聚合物。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，更包含：选择一激光波长及功率以在该激光剥离工艺期间，使该激光光束可传输通过该基板并被位于与该基板连接的该接口的该半导体层吸收。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述多个半导体结构包含覆晶发光二极管FCLED晶粒，而每个FCLED晶粒包含一P型限制层、一N型限制层、配置成发光且在多个限制层之间的一活性层、与该P型限制层接触的多个P-金属层、及与该N型限制层接触的一N-电极。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，安装该基板与该接收板件呈物理接触的该步骤包含：安装一配重于该接收板件上及固化该弹性体聚合物层。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该基板包含一晶圆，而该接收板件包含大于该晶圆的一圆形板件。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该基板包含一晶圆，而该接收板件包含大于该晶圆的一正方形或长方形板件。