[发明专利]具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置

说明书

一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含数据线、耦合到所述数据线的存储器单元、接地连接及导线。所述存储器单元包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管包含电耦合到所述数据线的第一区域及与所述第一区域电分开的电荷存储结构。所述第二晶体管包含电耦合到所述电荷存储结构及所述数据线的第二区域。所述接地连接耦合到所述第一晶体管的所述第一区域。所述导线与所述第一区域及所述第二区域电分开且横跨所述第一晶体管的所述第一区域的部分及所述第二晶体管的所述第二区域的部分，且形成所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极。

优先权申请案

本申请案要求2019年8月28日提交的第62/892,982号美国临时申请案的优先权权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

存储器装置广泛用于计算机及许多其它电子物品中以存储信息。通常将存储器装置分类成两个类型：易失性存储器装置及非易失性存储器装置。存储器装置通常具有用以存储信息的众多存储器单元。在易失性存储器装置中，如果供应电力从存储器装置断开，则存储于存储器单元中的信息丢失。在非易失性存储器装置中，即使供应电力从存储器装置断开，存储于存储器单元中的信息仍保留。

本文中的描述涉及易失性存储器装置。大部分常规易失性存储器装置将信息以电荷形式存储于包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的需求增大，许多常规技术提供缩小存储器单元的大小以便增加给定装置区域的装置存储密度的方法。然而，如果存储器单元大小待缩小到某一尺寸，则物理限制及制造约束可能会对此类常规技术构成挑战。不同于一些常规存储器装置，本文中所描述的存储器装置包含可克服常规技术所面临的挑战的特征。

附图说明

图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈包含易失性存储器单元的存储器装置的形式的设备的框图。

图2展示根据本文中所描述的一些实施例的存储器装置的一部分的示意图，所述存储器装置包含双晶体管(2T)存储器单元的存储器阵列。

图3展示根据本文中所描述的一些实施例的图2的存储器装置，包含在存储器装置的读取操作期间使用的实例电压。

图4展示根据本文中所描述的一些实施例的图2的存储器装置，包含在存储器装置的写入操作期间使用的实例电压。

图5、图6、图7及图8展示根据本文中所描述的一些实施例的图2的存储器装置的结构的不同视图。

图9到图22展示根据本文中所描述的一些实施例的形成存储器装置的工艺。

图23到图28展示根据本文中所描述的一些实施例的形成存储器装置的工艺，所述存储器装置包含邻近存储器单元之间的屏蔽结构。

图29A、图29B及图29C展示根据本文中所描述的一些实施例的存储器装置的结构的不同视图，所述存储器装置包含存储器单元的多个叠组。

具体实施方式

本文中所描述的存储器装置包含易失性存储器单元，其中所述存储器单元中的每一者可包含两个晶体管(2T)。两个晶体管中的一者具有电荷存储结构，所述电荷存储结构可形成存储器单元的存储器元件以存储信息。本文中所描述的存储器装置可具有允许存储器装置的大小相对小于类似的常规存储器装置的大小的结构(例如，4F2单元占据面积)。所描述存储器装置可包含单条所存取线(例如，字线)以控制存储器单元的两个晶体管。此可导致减少功率耗散且改善处理。所描述存储器装置的存储器单元中的每一者可包含交叉点增益单元结构(及交叉点操作)，使得可在存储器装置的操作(例如，读取或写入操作)期间使用单条存取线(例如，字线)及单条数据线(例如，位线)存取存储器单元。下文参看图1到图29C论述所描述存储器装置及其变型的其它改善及益处。