[发明专利]用于非静态系统的模型管理在审
| 申请号: | 202080059534.5 | 申请日: | 2020-10-14 |
| 公开(公告)号: | CN114303235A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | D·T·潘;R·J·巴塞曼;F·A·蒂普;N·恩古延;R·穆拉里德哈尔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 申发振 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 静态 系统 模型 管理 | ||
1.一种用于改善物理过程的质量和产量中的至少一个的方法,包括:
从物理过程的相应执行获得与所述物理过程相关联的多个变量的值;
确定表示所述物理过程的执行的所述多个变量的所述值的至少一个高斯混合模型GMM;
至少部分基于所述至少一个高斯混合模型,计算所述物理过程的所述执行中的至少一个的所述变量中的至少一个的至少一个异常分数;
基于所述变量中的所述至少一个的所述至少一个异常分数,将所述物理过程的所述执行中的所述至少一个识别为异常值;以及
至少部分地基于所述异常值的识别,修改所述变量中的所述至少一个变量以用于所述物理过程的一个或多个后续执行,以便改进所述物理过程的质量和产量中的所述至少一个。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述物理过程包括半导体制造过程的至少一部分。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,与所述物理过程相关联的所述多个变量包括电压、电流、功率和压力中的至少一个。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述至少一个GMM包括至少一个时间耦合的多模模型TMM。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,确定所述至少一个TMM包括:
确定多个高斯图形模型GGM,每个高斯图形模型表示在所述物理过程的所述执行的相应子集期间所述多个变量的值,使得所述物理过程的所述执行的每个相应子集包括在相应时间段内所述物理过程的所述执行;
确定所述GGM的相应混合权重;以及
根据所述混合权重确定所述多个GGM的加权和。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,对应于所述多个GGM中的第一个GGM的第一时间段的至少一部分与对应于所述多个GGM中的第二个GGM的第二时间段的至少一部分重叠。
7.根据权利要求4所述的方法,其中,确定所述至少一个TMM包括使约束的正则化的对数似然最大化。
8.根据权利要求4所述的方法,其中,确定所述至少一个TMM包括使用精确的凸l0范数。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,获得所述值包括至少部分基于与所述单变量数据相关联的时间数据将单变量数据转换成多变量数据。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述时间数据包括所述单变量数据内的值的相应时间戳。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述时间数据包括所述单变量数据内的直接在时间上相邻的相邻值之间的至少一个差值。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,当所述变量中的任一个的异常分数超过所述物理过程的执行中的给定一个的指定阈值时,所述执行中的所述给定一个被识别为异常值。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法,还包括至少部分基于用于所述物理过程的所述一个或多个随后执行中的至少一个的值,重新计算所述物理过程的所述执行中的至少一个的所述变量中的至少一个的所述至少一个异常分数。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法,还包括:
用来自所述物理过程的一个或多个过去执行的值训练所述模型;以及
用来自所述物理过程的一个或多个随后执行的值来测试所述模型。
15.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,识别所述异常值包括过去执行的向后分析和所述一个或多个随后执行的前向投影中的至少一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





