[发明专利]摄像元件和摄像装置在审
申请号: | 202080056326.X | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN114270516A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 村川祐亮;富樫秀晃;永岛义人;古川明;安藤良洋;芥川恭大;美浓田拓;岩下博纪;丹羽孝仁;西田翔;石丸干朗 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 装置 | ||
1.一种摄像元件,所述摄像元件包括:
像素,所述像素包括光电转换单元和电荷传输单元,所述光电转换单元被构造用于根据入射光进行光电转换,所述电荷传输单元被构造用于传输由所述光电转换产生的电荷;
单独片上透镜,所述单独片上透镜是针对每个所述像素布置的,并且被构造用于单独地会聚所述入射光;
多个相位差像素,所述相位差像素分别包括所述光电转换单元和所述电荷传输单元,并且所述相位差像素彼此相邻地布置以检测相位差;
共用片上透镜,所述共用片上透镜是针对所述多个相位差像素共同布置的,并且被构造用于共同地会聚所述入射光;和
像素电路,所述像素电路形成在半导体基板中,并被构造用于基于被传输的所述电荷生成图像信号,其中,
所述多个相位差像素的所述电荷传输单元被布置在所述共用片上透镜和所述单独片上透镜之间的区域中。
2.如权利要求1所述的摄像元件,其中,所述像素电路形成在所述半导体基板的正面侧。
3.如权利要求2所述的摄像元件,其中,所述光电转换单元对入射到背面上的所述入射光进行光电转换,所述背面是形成在所述半导体基板上的且与所述正面不同的表面。
4.如权利要求3所述的摄像元件,其中,所述电荷传输单元包括被构造用于在所述半导体基板的厚度方向上传输电荷的垂直晶体管。
5.如权利要求2所述的摄像元件,其中,所述光电转换单元包括与所述半导体基板的背面侧相邻地布置的光电转换膜。
6.如权利要求5所述的摄像元件,其中,所述电荷传输单元包括贯通电极,所述贯通电极是贯通所述半导体基板的电极。
7.如权利要求5所述的摄像元件,还包括滤色器,所述滤色器透过所述入射光中具有预定波长的光。
8.如权利要求7所述的摄像元件,其中,所述滤色器被布置在所述光电转换膜与所述单独片上透镜和所述共用片上透镜之间。
9.如权利要求7所述的摄像元件,其中,所述滤色器被布置在所述光电转换膜与所述半导体基板之间。
10.如权利要求1所述的摄像元件,还包括布置在所述相位差像素的所述光电转换单元之间的分隔单元。
11.摄像装置,所述摄像装置包括:
像素,所述像素包括光电转换单元和电荷传输单元,所述光电转换单元被构造为根据入射光进行光电转换,所述电荷传输单元被构造为传输由所述光电转换产生的电荷;
单独片上透镜,所述单独片上透镜是针对每个所述像素布置的,并且被构造用于单独地会聚所述入射光;
多个相位差像素,所述相位差像素分别包括所述光电转换单元和所述电荷传输单元,并且所述相位差像素彼此相邻地布置以检测相位差;
共用片上透镜,所述共用片上透镜是针对所述多个相位差像素共同布置的,并且被构造用于共同地会聚所述入射光;
像素电路,所述像素电路形成在半导体基板中,并被构造用于基于被传输的所述电荷生成图像信号;以及
处理电路,所述处理电路被构造用于处理生成的所述图像信号,其中,
所述多个相位差像素的所述电荷传输单元被布置在所述共用片上透镜与所述单独片上透镜之间的区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的