[发明专利]光电转换元件、摄像元件以及摄像系统在审
申请号: | 202080050057.6 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN114097085A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 大久保优;中込友洋 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/378 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 摄像 以及 系统 | ||
1.一种光电转换元件,对使用射出规定波段的光的光源、上述光被物体反射而得的反射光进行受光,具有:
基板,具有上述反射光入射的表面即第一面、由第一导电型半导体构成的第一半导体区域、以及由导电型与上述第一导电型半导体不同的第二导电型半导体构成且在与上述第一面垂直的方向上从上述第一面朝向内部扩展地形成的第二半导体区域;以及
光学元件,配置于上述基板的上述第一面侧,使上述反射光聚光于上述第二半导体区域,
当将向上述光电转换元件入射的上述反射光的入射能量设为I,
将上述光源的平均波长为λ时的上述基板中的上述反射光的吸收系数设为α(λ),
将上述第一面上的预定区域中的上述反射光的入射能量设为A1,
将上述光电转换元件不具有上述光学元件的情况下的上述第一面上的上述预定区域中的上述反射光的入射能量设为A2,
将在上述基板的厚度方向上从上述预定区域平行移动了规定距离z后的区域中的上述反射光的入射能量设为B(z)时,
当满足A1≧A2且设为距离z0=ln(2)/α(λ)时,
在z=z0的情况下,
0.95*exp(-α(λ)*z)≦B(z)/A≦1.05*exp(-α(λ)*z)的关系式成立。
2.一种光电转换元件,对使用射出规定波段的光的光源、上述光被物体反射而得的反射光进行受光,具有:
基板,具有上述反射光入射的表面即第一面、由第一导电型半导体构成的第一半导体区域、以及由导电型与上述第一导电型半导体不同的第二导电型半导体构成且在与上述第一面垂直的方向上从上述第一面朝向内部扩展地形成的第二半导体区域;以及
光学元件,配置于上述基板的上述第一面侧,使上述反射光聚光于上述第二半导体区域,
当将向上述光电转换元件入射的上述反射光的入射能量设为I,
将上述光源的平均波长为λ时的上述基板中的上述反射光的吸收系数设为α(λ),
将上述第一面上的预定区域中的上述反射光的入射能量设为A1,
将上述光电转换元件不具有上述光学元件的情况下的上述第一面上的上述预定区域中的上述反射光的入射能量设为A2,
将在上述基板的厚度方向上从上述预定区域平行移动了规定距离z后的区域中的上述反射光的入射能量设为B(z)时,
当满足A1≧A2且设为距离z0=ln(2)/α(λ)时,
在满足0≦z≦z0的全部z中,
0.95*exp(-α(λ)*z)≦B(z)/A≦1.05*exp(-α(λ)*z)的关系式成立。
3.如权利要求1或2所述的光电转换元件,其中,
上述预定区域是将上述第二半导体区域相对于上述第一面垂直地投影而得的区域。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件,其中,
上述波段是近红外波段。
5.如权利要求4所述的光电转换元件,其中,
上述近红外波段是850nm~940nm的波段。
6.一种摄像元件,对使用射出规定波段的光的光源、上述光被物体反射而得的反射光进行受光,其中,
具有权利要求1至5中任一项所述的光电转换元件,该光电转换元件具备以二维矩阵状配置有多个像素的受光区域,
在上述受光区域中,多个像素沿着相互正交的第1方向以及第2方向排列,
在沿着上述第1方向以及上述第2方向将上述光学元件切断时,将相互邻接的两个上述光学元件的谷部的高度设为第1高度,
在沿着上述像素的对角线方向将上述光学元件切断时,将相互邻接的两个上述光学元件的谷部的高度设为第2高度,
上述第1高度以及上述第2高度相互不同。
7.一种摄像系统,具有:
射出规定波段的光的光源部;
权利要求6所述的摄像元件;以及
对上述光被物体反射而得的反射光进行受光的受光部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的