[发明专利]基板处理腔室

说明书

本公开内容的实施例总体涉及在半导体器件的制造中使用的设备和方法。更具体地，本公开内容的实施例涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。

背景

领域

本公开内容的实施例总体涉及在半导体器件的制造中使用的设备和方法。更具体地，本公开内容的实施例涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。

相关技术说明

集成电路已经发展成为可以在单个芯片上包含数百万个晶体管、电容器和电阻器的复杂器件。芯片设计的发展不断涉及更快的电路系统和更大的电路密度。对具有更大电路密度的更快电路的需求，对用于制造此类集成电路的材料提出了相应的需求。具体地，随着集成电路部件的尺寸减小到亚微米级，存在使用低电阻率导电材料以及低介电常数绝缘材料以从此类部件获得合适的电性能的趋势。

对于更大的集成电路密度的需求也对在集成电路部件的制造中使用的工艺序列提出了要求。例如，在使用常规光刻技术的工艺序列中，在设置在基板上的材料层的堆叠之上形成能量敏感抗蚀剂层。将能量敏感抗蚀剂层暴露于图案的图像以形成光刻胶掩模。此后，使用蚀刻工艺将掩模图案转移到堆叠的材料层中的一个或多个材料层。用于蚀刻工艺的化学蚀刻剂被选择为具有的对堆叠的材料层的蚀刻选择性大于对能量敏感抗蚀剂的掩模的蚀刻选择性。即，化学蚀刻剂以比能量敏感抗蚀剂快得多的速率蚀刻材料堆叠的一个或多个层。对抗蚀剂上的堆叠的一个或多个材料层的蚀刻选择性防止能量敏感抗蚀剂在完成图案转移之前被消耗。

随着图案尺寸的减小，能量敏感抗蚀剂的厚度相应地减小，以便控制图案分辨率。由于化学蚀刻剂的侵蚀，这种薄的抗蚀剂层可能不足以在图案转移过程期间掩盖下面的材料层。通常在能量敏感抗蚀剂层和下面的材料层之间使用被称为硬模的中间层(例如，氮氧化硅、碳化硅或碳膜)以促进图案转移，因为中间层对化学蚀刻剂的抗性更大。通常使用具有高蚀刻选择性和高沉积速率的硬模材料。随着临界尺寸(CD)的减小，当前的硬模材料相对于下面的材料(例如，氧化物和氮化物)缺乏期望的蚀刻选择性，并且通常难以沉积。因此，在本领域中需要用于制造半导体器件的改进的方法和设备。

发明内容

本公开内容的实施例总体涉及在半导体器件的制造中使用的设备和方法。更具体地，本公开内容的实施例涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。

在一个实施例中，公开了一种处理腔室，所述处理腔室包括：盖组件；腔室主体，所述腔室主体通过间隔垫耦合至盖组件。间隔垫和腔室主体限定共振腔。处理腔室还包括：可旋转的磁体组件，所述可旋转的磁体组件耦合至共振腔外部的间隔垫；以及基板支撑件，所述基板支撑件设置在共振腔内并在共振腔内可移动，其中基板支撑件耦合至设施电缆，所述设施电缆基于耦合至基板支撑件的致动器的操作而屈曲。

在另一个实施例中，公开了一种处理腔室，所述处理腔室包括：盖组件，所述盖组件包括喷淋头；腔室主体，所述腔室主体通过间隔垫耦合至盖组件。间隔垫和腔室主体限定共振腔。处理腔室还包括：磁体组件，所述磁体组件耦合至共振腔外部的间隔垫；以及基板支撑件，所述基板支撑件设置在共振腔内，其中基板支撑件耦合至设施电缆并且包括静电吸盘，所述静电吸盘具有圆盘，所述圆盘包括多个电极。

在另一个实施例中，公开了一种处理腔室，处理腔室包括：盖组件，所述盖组件包括喷淋头；腔室主体，所述腔室主体通过间隔垫耦合至盖组件。间隔垫和腔室主体限定共振腔。处理腔室还包括：磁体组件，所述磁体组件耦合至共振腔外部的间隔垫；以及基板支撑件，所述基板支撑件可移动地设置在共振腔内，其中基板支撑件耦合至设施电缆，所述设施电缆包括单片导体，所述单片导体包括弯曲部，并且其中基板支撑件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有圆盘，所述圆盘包括多个电极。

附图说明

为了能够更详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施例来得到以上简要概述的本公开的更具体描述，所述实施例中的一些在附图中图示。然而应注意到，附图仅图示本公开内容的典型实施例，并且因此不应被视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效的实施例。