[发明专利]通过调节机械性能对电介质的应力响应和粘附行为的改变

说明书

所公开的主题涉及一种电介质堆叠体，其包括由电介质材料形成的电介质层，所述电介质材料包括一种或多种构成组分，所述一种或多种构成组分各自具有70℃以下的Tg值，并且在超过一种或多种构成组分的最高Tg值的温度进行退火。

技术领域

所公开的主题涉及电子设备，具体地涉及电介质堆叠体及其制造方法，其消除了在电介质堆叠体中的应力，因此对脱层故障具有抵抗力。该电介质堆叠体由气相沉积的电介质制造，并且包括气相沉积的电介质，该气相沉积的电介质覆盖在有机电介质上，而该有机电介质覆盖在设置在基底上的聚合物有机半导体层上。

背景技术

相关技术

对有机电子(OE)设备比如在显示设备或有逻辑能力的电路和有机光伏(OPV)设备的背板/平面中使用的有机场效应晶体管(OFET)越来越感兴趣。常规的OFET具有栅极、由电介质材料制成的栅绝缘体层(电称为“电介质”或“栅电介质”)、源漏电极、由有机半导体(OSC)材料制成的半导体层，并且一般还包括在前述层上方的钝化层以提供针对环境影响或针对来自后续设备制造步骤的损害的保护。

在一些采用OSC的设备中，包括覆盖在OSC上的电介质堆叠体。如图1所示，电介质堆叠体10包括覆盖在有机电介质层30上的气相沉积的电介质20，而有机电介质层30覆盖在OSC层40上。电介质堆叠体10设置在基底50上。电介质堆叠体一般采用的气相沉积的电介质20会是聚(对二甲苯)聚合物(比如以商品名Parylene^TM销售的那些)。这样的电介质堆叠体通常经受在气相沉积的电介质20和覆盖在OSC层40上的有机电介质30之间的界面处的过量应力，该过量应力是由前者在后者上的气相沉积引起的。不出意料，此应力可能导致设备缺陷(例如脱层)和后续的故障。

因此，需要开发一种电介质堆叠体及其制造方法，其中该电介质堆叠体在制造期间不表现出过量应力，或者在制造后在气相沉积的电介质和覆盖在OSC上的有机电介质之间不保留任何过量应力。

发明内容

在一个方面，所公开的主题涉及一种应力得到减小的电介质堆叠体，所述电介质堆叠体包括气相沉积的电介质，所述气相沉积的电介质覆盖在有机电介质上，而所述有机电介质覆盖在聚合物OSC材料上，所述气相沉积的电介质、有机电介质和聚合物OSC材料共同设置在基底上。

在另一个方面，所公开的主题涉及一种电介质堆叠体，所述电介质堆叠体包括由电介质材料形成的电介质层，所述电介质材料包括各自具有70℃以下的Tg值的一种或多种构成组分。在另一个方面，所述电介质堆叠体包括由电介质材料形成的电介质层，所述电介质材料基本上由各自具有70℃以下的Tg值的一种或多种构成组分组成。在又一个方面，所述电介质堆叠体包括由电介质材料形成的电介质层，所述电介质材料由各自具有70℃以下的Tg值的一种或多种构成组分组成。在又一个方面，所述电介质层的厚度为200nm以上。

在另一个方面，所公开的主题涉及一种用于制造和使用应力减小的电介质堆叠体的方法，所述电介质堆叠体包括由电介质材料形成的电介质层，所述电介质材料包括各自具有70℃以下的Tg值的一种或多种构成组分。在另一个方面，所述方法包括通过将所述电介质材料在超过所述一种或多种构成组分的最高Tg值的温度退火来形成所述电介质层。在又一个方面，所述方法包括形成厚度为200nm以上的电介质层。

附图说明

被包括以提供对所公开的主题的进一步理解并且被包括在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了所公开的主题的实施方案，并且附图连同说明书一起用于解释所公开的主题的原理。在附图中：

图1示出了设置在基底50上的电介质堆叠体10，其中电介质堆叠体10包括设置在有机电介质层30上的气相沉积的电介质20，而有机电介质层30覆盖在聚合物OSC层40上；

图2示出了在常规制备的电介质堆叠体中在聚合物OSC 140和基底150之间的脱层区域；