[发明专利]干涉仪系统、确定干涉仪系统的激光源的跳模的方法、确定可移动物体的位置的方法、和光刻设备

说明书

本发明提供一种干涉仪系统，所述干涉仪系统用于确定可移动物体的位置，所述干涉仪系统包括：激光源，所述激光源用于提供辐射束；光学系统，所述光学系统被布置成将所述辐射束拆分成沿第一光学路径的第一束和沿第二光学路径的第二束，其中所述光学系统被布置成将所述第一束与所述第二束重新组合成重新组合束；检测器，所述检测器用于接收所述重新组合束并且基于所接收的重新组合束来提供检测器信号；以及处理单元，其中所述第一光学路径的第一光程长度与所述第二光学路径的第二光程长度具有光程长度差，其中所述处理单元被布置成基于所述检测器信号中的相移来确定所述激光源的跳模。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年06月11日提交的欧洲申请19179357.9和于2019年7月30日提交的欧洲申请19189097.9的优先权，这些专利申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及用以确定可移动物体的位置的干涉仪系统。本发明还涉及确定干涉仪系统的激光源的跳模的方法、和确定可移动物体的位置的方法。本发明也涉及光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以被用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造过程持续进步，数十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上被图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(具有在4至20mm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。

在光刻设备的实施例中，干涉仪被用于以高准确度来确定可移动物体的位置。这些可移动物体的示例是衬底支撑件和可移动光学元件，例如投影光学器件箱的反射镜元件。

最公知的干涉仪的另一缺点是：这些干涉仪仅能够确定所述可移动物体相对于参考部位的相对位移。为了确定所述可移动物体相对于所述参考部位的绝对位置，提供单独的调零传感器或零位调整传感器。这种调零传感器被用以确定所述可移动物体的绝对起始位置。一旦这种绝对起始位置是已知的，则所述干涉仪可以确定所述可移动物体相对于这种绝对起始位置的相对位移，以便计算所述可移动物体的绝对位置。

所述调零传感器通常被安装在可以确定所述可移动物体的所述绝对起始位置的特定部位处。因此可以仅当所述可移动物体位于所述调零传感器的相对小的测量范围内时才确定所述可移动物体的所述绝对位置。所述调零传感器的测量范围通常接近于所述调零传感器，例如，在所述调零传感器的数个厘米内。每次使用所述干涉仪来起始所述可移动物体的测量时，所述可移动目标必须被带回到所述位置测量系统的所述调零传感器的所述相对小的测量范围内。这可能不仅是在开启所述光刻设备时的情况，也是例如当所述可移动物体即刻离开所述干涉仪的视野时(例如当行进到另一可移动物体后面时)的情况。