[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模

权利要求书

1.一种反射型光掩模坯，具备：

基板；

设置在所述基板上并反射入射光的反射部；以及

设置在所述反射部上并吸收入射光的低反射部，

所述低反射部为至少2层以上的层叠结构，

所述低反射部的最表层相对于EUV(极端紫外线(Extreme UltraViolet)：波长为13.5nm)光的折射率n为0.90以上、消光系数k为0.02以下。

2.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯，其中，

所述最表层由硅(Si)与氧(O)的原子数比在1:1.5至1:2的比例范围内、并且所述硅和所述氧的总含量为整体的50原子％以上的化合物材料构成。

3.根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯，其中，

构成所述最表层的化合物材料进一步含有选自硼(B)、氮(N)、锗(Ge)、铪(Hf)中的1种以上的元素。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的反射型光掩模坯，其中，

所述最表层的膜厚为1nm以上20nm以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的反射型光掩模坯，其中，

所述低反射部具有：设置在所述最表层与所述反射部之间并吸收入射光的吸收层，

所述吸收层由相对于所述EUV光的折射率n为0.95以下、消光系数k为0.06以上的化合物材料构成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的反射型光掩模坯，其中，

所述低反射部具有：设置在所述最表层与所述反射部之间并吸收入射光的吸收层，

所述吸收层由锡(Sn)与氧(O)的原子数比在1:1至1:2的比例范围内、并且锡和氧的总含量为整体的75原子％以上的化合物材料构成。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的反射型光掩模坯，其中，

所述低反射部具有：设置在所述最表层与所述反射部之间并吸收入射光的吸收层，

所述吸收层由铟(In)与氧(O)的原子数比在1:1至1:1.5的比例范围内、并且铟和氧的总含量为整体的80原子％以上的化合物材料构成。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的反射型光掩模坯，其中，

构成所述吸收层的化合物材料进一步含有选自硼(B)、氮(N)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)中的1种以上的元素。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的反射型光掩模坯，其中，

所述吸收层的膜厚为18nm以上48nm以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的反射型光掩模坯，其中，

所述低反射部相对于所述反射部的光学浓度(OD值)为1.5以上。

11.一种反射型光掩模，具备：

基板；

设置在所述基板上并反射入射光的反射部；以及

设置在所述反射部上并吸收入射光的低反射部，

所述低反射部为至少2层以上的层叠结构，

所述低反射部的最表层相对于EUV(极端紫外线(Extreme UltraViolet)：波长为13.5nm)光的折射率n为0.90以上、消光系数k为0.02以下。