[发明专利]多主控存储器控制器的错误校正码在审

专利信息
申请号: 202080036940.X 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN113874841A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: A·A·查查德;D·M·汤普森;S·H·特兰 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: G06F11/00 分类号: G06F11/00;G06F12/0811
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 主控 存储器 控制器 错误 校正
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

中央处理单元(CPU)核心;和

高速缓存子系统,其耦合到所述CPU核心,所述高速缓存子系统包括:

存储器,其经配置以存储一行数据和与所述数据行相关联的错误校正码(ECC)校验子,其中所述ECC校验子基于所述数据行进行计算,其中所述ECC校验子是第一类型ECC;和

控制器,其经配置以响应于来自经配置以实施第二类型ECC的主控的请求,所述请求被引导到所述数据行:

将所述数据行的所述第一类型ECC校验子转换为第二类型ECC校验子;和

向所述主控发送响应,所述响应包括所述数据行和与所述数据行相关联的所述第二类型ECC校验子。

2.根据权利要求1所述的设备,其中当所述控制器将所述数据行的所述第一类型ECC校验子转换为所述第二类型ECC时,所述控制器进一步经配置以:

重新计算所述数据行的第一类型ECC校验子;

基于与所述数据行相关联的所述重新计算的第一类型ECC校验子与所述第一类型ECC校验子的比较,确定在所述数据行中存在单个错误;

用经校正的数据行盖写所述存储器中的所述数据行,其中在所述经校正的数据行中校正所述单个错误;和

基于所述经校正的数据行计算所述第二类型ECC校验子。

3.根据权利要求1所述的设备,其中在单个总线事务中,将包含所述相关联的第二类型ECC校验子的所述响应从所述高速缓存子系统传输到所述主控。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器经进一步配置以响应于所述请求进行以下操作:

重新计算所述数据行的第一类型ECC校验子;

基于与所述数据行相关联的所述重新计算的第一类型ECC校验子与所述第一类型ECC的比较,确定在所述数据行中存在多于一个错误;和

响应于确定在所述数据行中存在多于一个错误生成中断。

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一类型ECC包括单错误校正、双错误检测(SECDED)ECC,并且所述第二类型ECC包括单错误检测(SED)ECC。

6.一种方法,其包括:

计算一行数据的单错误校正、双错误校正检测(SECDED)错误校正码(ECC)校验子;

在存储器中存储所述数据行和与所述数据行相关联的所述SECDED ECC校验子;由控制器接收来自经配置以实施单错误检测(SED)ECC的主控的请求,所述请求被引导到所述数据行:

由所述控制器将所述数据行的所述SECDED ECC校验子转换为SED ECC校验子;和

由所述控制器向所述主控发送响应,所述响应包括所述数据行和与所述数据行相关联的所述SED ECC校验子。

7.根据权利要求6所述的方法,其中将所述数据行的所述SECDED ECC校验子转换为所述SED ECC进一步包括:

重新计算所述数据行的SECDED ECC校验子;

基于与所述数据行相关联的所述重新计算的SECDED ECC校验子与所述SECDED ECC校验子的比较,确定在所述数据行中存在单个错误;

用经校正的数据行盖写所述存储器中的所述数据行,其中在所述经校正的数据行中校正所述单个错误;和

基于所述经校正的数据行计算所述SED ECC校验子。

8.根据权利要求6所述的方法,其进一步包括在单个总线事务中将包含所述相关联SEDECC校验子的所述响应传输到所述主控。

9.根据权利要求6所述的方法,其进一步包括响应于接收所述请求:

重新计算所述数据行的SECDED ECC校验子;

基于与所述数据行相关联的所述重新计算的SECDED ECC校验子与所述SECDED ECC的比较,确定在所述数据行中存在多于一个错误;和

响应于确定在所述数据行中存在多于一个错误生成中断。

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