[发明专利]彩色和红外图像传感器在审
| 申请号: | 202080032778.4 | 申请日: | 2020-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN113767474A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 卡米尔·杜波伦;本杰明·布蒂农 | 申请(专利权)人: | 爱色乐居 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/33 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩色 红外 图像传感器 | ||
1.一种彩色和红外图像传感器(1),包括硅衬底(12)、在所述衬底中和所述衬底上形成的MOS晶体管(16;60、62、70、72、74)、覆盖所述衬底并从所述衬底开始包括第一光敏层(26)、电绝缘层(32)、第二光敏层(38)和彩色滤光片(46)的堆叠,所述图像传感器还包括位于所述第一光敏层的任一侧并界定所述第一光敏层中的第一光电二极管(2)的第一和第二电极(22、28),以及位于所述第二光敏层的任一侧并界定所述第二光敏层中的第二光电二极管(4)的第三和第四电极(34、40),所述第一光敏层(26)被配置为吸收可见光谱和红外光谱的第一部分的电磁波,所述第二光敏层(38)被配置为吸收所述可见光谱的电磁波并允许所述红外光谱的所述第一部分的电磁波通过。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括覆盖所述堆叠的红外滤光片(52),所述第一和第二光敏层(26、38)插入在所述衬底(12)和所述红外滤光片之间,所述红外滤光片被配置为允许所述可见光谱的电磁波通过,允许所述红外光谱的所述第一部分的电磁波通过,并且阻挡所述可见光谱和所述红外光谱的所述第一部分之间的所述红外光谱的至少第二部分的电磁波。
3.根据权利要求1或2所述的图像传感器,包括覆盖所述堆叠的透镜阵列(48)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的图像传感器,对于要获取的所述彩色图像的每个像素,包括至少第一、第二和第三子像素(SPix),每个子像素包括所述第二光电二极管(4)之一、所述第一光电二极管(2)之一或所述第一光电二极管(2)之一的一部分,以及所述彩色滤光片(46)之一,所述第一、第二和第三子像素的所述彩色滤光片允许所述可见光谱的不同频率范围内的电磁波通过,并且允许所述红外光谱的电磁波通过。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中对于要获取的所述彩色图像的每个像素,所述第四电极(40)由所述第一、第二和第三子像素(SPix)共用。
6.根据权利要求4或5所述的图像传感器,其中对于要获取的所述红外图像的每个像素,所述第二电极(28)由所述第一、第二和第三子像素(SPix)共用。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的图像传感器,其中对于要获取的所述红外图像的每个像素,所述第一电极(22)由所述第一、第二和第三子像素(SPix)共用。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的图像传感器,对于要获取的所述彩色图像的每个像素,包括至少一个第四子像素(SPix),所述第四子像素(SPix)包括所述第二光电二极管(4)之一和所述彩色滤光片(46)之一,所述第四子像素的所述彩色滤光片被配置为阻挡所述可见光谱的电磁波并允许所述可见光谱和所述红外光谱的所述第一部分之间的所述红外光谱的第三部分中的电磁波通过,所述第二光敏层(38)被配置为吸收所述红外光谱的所述第三部分中的电磁波。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的图像传感器,对于每个第一、第二和第三子像素(SPix),包括耦合到所述第二光电二极管(4)和耦合到所述第一光电二极管(2)的读出电路(6-1)。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中所述读出电路(6-1)被配置为将在所述第一光电二极管(2)中产生的第一电荷转移到第一导电轨道(68;90)并被配置为将在第二光电二极管(4)中产生的第二电荷转移到所述相同的第一导电轨道(68)或不同于所述第一导电轨道的第二导电轨道(90)。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述第一光电二极管(2)按行和列布置,并且其中所述读出电路(6-1;6-2;6-3;6-4;6-5)被配置为在针对所述图像传感器的所有所述第一光电二极管(2)同时的第一时间间隔期间控制所述第一电荷的收集。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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