[发明专利]用于在存储器阵列内执行矩阵变换的方法和设备在审
申请号: | 202080032712.5 | 申请日: | 2020-05-01 |
公开(公告)号: | CN113767436A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 罗法隆 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G11C7/12 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储器 阵列 执行 矩阵 变换 方法 设备 | ||
1.一种执行矩阵变换操作的方法,其包括:
接收矩阵变换操作码;
基于所述矩阵变换操作码将存储器的存储器单元阵列配置成矩阵结构;
基于所述矩阵变换操作码配置存储器感测组件;以及
响应于将矩阵变换操作数读取到所述矩阵结构中,写入来自所述存储器感测组件的矩阵变换结果。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述配置所述存储器单元阵列包括连接对应于与所述矩阵结构相关联的行维度和列维度的多个字线和多个位线。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括从所述矩阵变换操作码确定所述行维度和所述列维度。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述配置所述存储器单元阵列包括基于查找表(LUT)数据结构设置所述矩阵结构的一或多个模拟值。
5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括基于所述矩阵变换操作码识别来自所述LUT数据结构的条目。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述配置所述存储器感测组件使得矩阵变换结果具有大于二(2)的基数。
7.一种非暂时性计算机可读媒体,其包括:
存储器单元阵列,其中所述存储器单元阵列中的每一存储器单元经配置以将数字值作为模拟值存储在模拟媒体中;
存储器感测组件,其中所述存储器感测组件经配置以读取第一存储器单元的模拟值作为第一数字值;
逻辑,其经配置以:
接收矩阵变换操作码;
基于所述矩阵变换操作码使所述存储器单元阵列作为矩阵乘法单元(MMU)操作;
其中所述MMU的每个存储器单元根据所述矩阵变换操作码和矩阵变换操作数修改所述模拟媒体中的所述模拟值;
配置所述存储器感测组件以根据所述矩阵变换操作码和所述矩阵变换操作数将所述第一存储器单元的所述模拟值转换为第二数字值;并且
响应于将所述矩阵变换操作数读取到所述MMU中,基于所述第二数字值写入矩阵变换结果。
8.根据权利要求7所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述矩阵变换操作码指示所述MMU的大小。
9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述矩阵变换操作码对应于频域变换操作。
10.根据权利要求9所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述频域变换操作跨越至少一个其它MMU。
11.根据权利要求7所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述矩阵变换操作码识别对应于一或多个存储器单元的一或多个模拟值。
12.根据权利要求11所述的非暂时性计算机可读媒体,其中对应于所述一或多个存储器单元的所述一或多个模拟值存储在查找表(LUT)数据结构内。
13.根据权利要求7所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述MMU的每个存储器单元包括电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元;并且
其中所述MMU的所述每个存储器单元根据所述矩阵变换操作码和所述矩阵变换操作数使所述模拟媒体中的所述模拟值相乘。
14.根据权利要求13所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述MMU的每个存储器单元进一步将所述模拟媒体中的所述模拟值与先前的模拟值进行累加。
15.根据权利要求7所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述第一数字值由二(2)的第一基数表征;并且
其中所述第二数字值由大于二(2)的第二基数表征。
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