[发明专利]图案形成装置

说明书

一种被配置用于光刻设备的图案形成装置，所述光刻设备被配置为使用辐射经由投影光学器件将所述图案形成装置的图案成像到衬底上。所述图案形成装置包括：第一部件，用于反射和/或透射所述辐射；以及第二部件，覆盖所述第一部件的表面的至少部分，并且被配置为至少部分地吸收入射到所述第二部件上的所述辐射。所述第二部件包括侧壁，其中所述侧壁的至少部分以一角度从所述第一部件延伸离开第一部分，所述角度是相对于平行于所述第一部件的所述表面的平面的，并且其中所述角度小于85度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年5月2日提交的EP申请19172160.4的优先权，其通过引用全部并入本文。

技术领域

本发明涉及一种图案形成装置。

背景技术

光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够被用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了能够被形成在衬底上的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。

在光刻设备中使用标准衰减相移图案形成装置可能会导致仅相对较小百分比的辐射强度被衍射为在光刻设备的数值孔径(NA)内的衍射阶。由于这个原因，相对较高百分比的辐射损失，并且这增加了期望剂量。因此，可能期望增加衍射为光刻设备的NA内的衍射阶的辐射强度的百分比。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种被配置用于光刻设备的图案形成装置，该光刻设备被配置为使用辐射经由投影光学器件将图案形成装置处的图案成像到衬底上，该图案形成装置包括：第一部件，用于反射和/或透射辐射；以及第二部件，覆盖第一部件的表面的至少部分，并且被配置为至少部分地吸收入射到第二部件上的辐射，其中第二部件包括侧壁，其中侧壁的至少部分以一角度从第一部件延伸离开第一部分，该角度是相对于平行于第一部件的表面的平面的，并且其中该角度小于85度。

这可以具有以下优点：更多的辐射可以被衍射到光刻设备的数值孔径(NA)中，这可以减少所需的辐射剂量。与由标准图案形成装置(侧壁垂直于对应的第一部件)衍射的辐射强度相比，第二部件的形状可以降低被衍射为更高阶的辐射强度。这可以提高光刻设备的产出。

第二部件可以至少部分地透射入射到第二部件上的辐射，从而使从第二部件发出的辐射相对于第一部件的未被第二部件覆盖的另一部分反射的辐射给出相移。图案形成装置可以是衰减相移图案形成装置。

侧壁的至少部分可以是侧壁的实质部分。

至少部分可以是侧壁的大半部分。

侧壁可以在侧壁的大致中间点处以一角度从第一部件延伸离开第一部分。

侧壁可以在侧壁的远离第一部件的大致最远点处具有角度。

在侧壁的远离第一部件的大致最远点处，侧壁可以具有曲线形状。

该曲线可以是正弦曲线。当与其他曲线相比时，这可能具有提供衍射到系统NA中的增加的辐射量的优点。

侧壁可以在整个侧壁上以一角度从第一部件延伸离开第一部分。

该角度可以小于70度。

该角度可以是45度。

第二部件可以具有与第二部件的侧壁大致相对的又一侧壁，其中又一侧壁的至少一个又一部分可以以一角度从第一部件延伸离开第一部分。